Characterization of 100 mm Diameter 4H-Silicon Carbide Crystals with Extremely Low Basal Plane Dislocation Density: Fid-Bau Portal

Characterization of 100 mm Diameter 4H-Silicon Carbide Crystals with Extremely Low Basal Plane Dislocation Density

Dudley, M. / Zhang, N. / Zhang, Y. / Raghothamachar, B. / Byrappa, S. / Choi, G. / Sanchez, E.K. / Hansen, D.M. / Drachev, R. / Loboda, M.J.

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Titel:

Characterization of 100 mm Diameter 4H-Silicon Carbide Crystals with Extremely Low Basal Plane Dislocation Density

Beteiligte:

Dudley, M. (Autor:in) / Zhang, N. (Autor:in) / Zhang, Y. (Autor:in) / Raghothamachar, B. (Autor:in) / Byrappa, S. (Autor:in) / Choi, G. (Autor:in) / Sanchez, E.K. (Autor:in) / Hansen, D.M. (Autor:in) / Drachev, R. (Autor:in) / Loboda, M.J. (Autor:in)

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 291-294

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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