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    Titel:

    Shallow Defects Observed in As-Grown and Electron-Irradiated or He^+-Implanted Al-Doped 4H-SiC Epilayers

    Beteiligte:

    Beljakowa, S. (Autor:in) / Reshanov, S.A. (Autor:in) / Zippelius, B. (Autor:in) / Krieger, M. (Autor:in) / Pensl, G. (Autor:in) / Danno, K. (Autor:in) / Kimoto, T. (Autor:in) / Onoda, S. (Autor:in) / Ohshima, T. (Autor:in) / Yan, F. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 427-430

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2010

    Format / Umfang:

    4 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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