The optoelectronic properties of silicon films deposited by inductively coupled plasma CVD: Fid-Bau Portal

The optoelectronic properties of silicon films deposited by inductively coupled plasma CVD

Qin, Y. / Yan, H. / Li, F. / Qiao, L. / Liu, Q. / He, D.

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Titel:

The optoelectronic properties of silicon films deposited by inductively coupled plasma CVD

Beteiligte:

Qin, Y. (Autor:in) / Yan, H. (Autor:in) / Li, F. (Autor:in) / Qiao, L. (Autor:in) / Liu, Q. (Autor:in) / He, D. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 257 ; 817-822

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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