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Theoretical analysis of fluorine-passivated germanium surface for high-k/Ge gate stack by molecular orbital method

Lee, D. / Lee, H. / Kanashima, T. / Okuyama, M.

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Titel:

Theoretical analysis of fluorine-passivated germanium surface for high-k/Ge gate stack by molecular orbital method

Beteiligte:

Lee, D. (Autor:in) / Lee, H. (Autor:in) / Kanashima, T. (Autor:in) / Okuyama, M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 257 ; 917-920

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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