Effects of post-oxidation annealing temperature on ZrO2 thin film deposited on 4H-SiC substrate: Fid-Bau Portal

Effects of post-oxidation annealing temperature on ZrO2 thin film deposited on 4H-SiC substrate

Kurniawan, T. / Wong, Y. H. / Cheong, K. Y. / Moon, J. H. / Bahng, W. / Razak, K. A. / Lockman, Z. / Kim, H. J. / Kim, N.-K.

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Kurniawan, T. / Wong, Y. H. / Cheong, K. Y. / Moon, J. H. / Bahng, W. / Razak, K. A. / Lockman, Z. / Kim, H. J. / Kim, N.-K.

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Titel:

Effects of post-oxidation annealing temperature on ZrO2 thin film deposited on 4H-SiC substrate

Beteiligte:

Kurniawan, T. (Autor:in) / Wong, Y. H. (Autor:in) / Cheong, K. Y. (Autor:in) / Moon, J. H. (Autor:in) / Bahng, W. (Autor:in) / Razak, K. A. (Autor:in) / Lockman, Z. (Autor:in) / Kim, H. J. (Autor:in) / Kim, N.-K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 14 ; 13-17

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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