Electrical Characterization of Metastable Defects Introduced in GaN by Eu-Ion Implantation: Fid-Bau Portal

Electrical Characterization of Metastable Defects Introduced in GaN by Eu-Ion Implantation

Auret, F.D. / Meyer, W.E. / Diale, M. / Van Rensburg, P.J.J. / Song, S.F. / Temst, K. / Vantomme, A.

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Titel:

Electrical Characterization of Metastable Defects Introduced in GaN by Eu-Ion Implantation

Beteiligte:

Auret, F.D. (Autor:in) / Meyer, W.E. (Autor:in) / Diale, M. (Autor:in) / Van Rensburg, P.J.J. (Autor:in) / Song, S.F. (Autor:in) / Temst, K. (Autor:in) / Vantomme, A. (Autor:in) / Monakhov, E.V. / Hornos, T. / Svensson, B.G.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2010 ; 804-807

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 679/680

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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