Accurate depth profiling of dry oxidized SiGeC thin films by extended Full Spectrum ToF-SIMS: Fid-Bau Portal

Accurate depth profiling of dry oxidized SiGeC thin films by extended Full Spectrum ToF-SIMS

Py, M. / Saracco, E. / Damlencourt, J. F. / Barnes, J. P. / Fabbri, J. M. / Hartmann, J. M.

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Titel:

Accurate depth profiling of dry oxidized SiGeC thin films by extended Full Spectrum ToF-SIMS

Beteiligte:

Py, M. (Autor:in) / Saracco, E. (Autor:in) / Damlencourt, J. F. (Autor:in) / Barnes, J. P. (Autor:in) / Fabbri, J. M. (Autor:in) / Hartmann, J. M. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 257 ; 9414-9419

Erscheinungsdatum:

01.01.2011

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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