Low Temperature Photoluminescence Investigation of 3-Inch SiC Wafers for Power Device Applications: Fid-Bau Portal

Low Temperature Photoluminescence Investigation of 3-Inch SiC Wafers for Power Device Applications

Peyre, H. / Sun, J. / Guelfucci, J. / Juillaguet, S. / Hassan, J. / Henry, A. / Contreras, S. / Brosselard, P. / Camassel, J.

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Titel:

Low Temperature Photoluminescence Investigation of 3-Inch SiC Wafers for Power Device Applications

Beteiligte:

Peyre, H. (Autor:in) / Sun, J. (Autor:in) / Guelfucci, J. (Autor:in) / Juillaguet, S. (Autor:in) / Hassan, J. (Autor:in) / Henry, A. (Autor:in) / Contreras, S. (Autor:in) / Brosselard, P. (Autor:in) / Camassel, J. (Autor:in) / Alquier, D.

Erschienen in:

HeteroSiC & WASMPE 2011 ; 164-168

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 711

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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