Radiation-induced defects in different silicon (111) wafers by 400 keV electron irradiation: Fid-Bau Portal

Radiation-induced defects in different silicon (111) wafers by 400 keV electron irradiation

Gao, H. / Wang, H. / Yuan, Y.

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Titel:

Radiation-induced defects in different silicon (111) wafers by 400 keV electron irradiation

Beteiligte:

Gao, H. (Autor:in) / Wang, H. (Autor:in) / Yuan, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

RARE METALS -BEIJING- ENGLISH EDITION ; 31 ; 290-295

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

1001-0521

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 669

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