Low Temperature Epitaxy of 3C SiC using Hexamethyldisilane Precursor on Si <111> Substrates: Fid-Bau Portal

Low Temperature Epitaxy of 3C SiC using Hexamethyldisilane Precursor on Si <111> Substrates

Wagner, B. / Oliver, J. / Singh, N.B. / King, M. / McLaughlin, S. / Kahler, D. / Knuteson, D. / Berghmans, A. / Rai, R.

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Titel:

Low Temperature Epitaxy of 3C SiC using Hexamethyldisilane Precursor on Si <111> Substrates

Beteiligte:

Wagner, B. (Autor:in) / Oliver, J. (Autor:in) / Singh, N.B. (Autor:in) / King, M. (Autor:in) / McLaughlin, S. (Autor:in) / Kahler, D. (Autor:in) / Knuteson, D. (Autor:in) / Berghmans, A. (Autor:in) / Rai, R. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 185-188

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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