Temperature Dependence of Inversion Layer Carrier Concentration and Hall Mobility in 4H-SiC MOSFETs: Fid-Bau Portal

Temperature Dependence of Inversion Layer Carrier Concentration and Hall Mobility in 4H-SiC MOSFETs

Dhar, S. / Ahyi, A.C. / Williams, J.R. / Ryu, S.H. / Agarwal, A.K.

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Titel:

Temperature Dependence of Inversion Layer Carrier Concentration and Hall Mobility in 4H-SiC MOSFETs

Beteiligte:

Dhar, S. (Autor:in) / Ahyi, A.C. (Autor:in) / Williams, J.R. (Autor:in) / Ryu, S.H. (Autor:in) / Agarwal, A.K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 713-716

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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