High-Resolution TEM Observation of 4H-SiC (0001) Surface Planarized by Catalyst-Referred Etching: Fid-Bau Portal

High-Resolution TEM Observation of 4H-SiC (0001) Surface Planarized by Catalyst-Referred Etching

Pho, B.V. / Sadakuni, S. / Okamoto, T. / Sagawa, R. / Arima, K. / Sano, Y. / Yamauchi, K.

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Titel:

High-Resolution TEM Observation of 4H-SiC (0001) Surface Planarized by Catalyst-Referred Etching

Beteiligte:

Pho, B.V. (Autor:in) / Sadakuni, S. (Autor:in) / Okamoto, T. (Autor:in) / Sagawa, R. (Autor:in) / Arima, K. (Autor:in) / Sano, Y. (Autor:in) / Yamauchi, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 717/720 ; 873-876

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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