Improved interface properties of atomic-layer-deposited HfO2 film on InP using interface sulfur passivation with H2S pre-deposition annealing: Fid-Bau Portal

Improved interface properties of atomic-layer-deposited HfO2 film on InP using interface sulfur passivation with H2S pre-deposition annealing

Jin, H. S. / Cho, Y. J. / Seok, T. J. / Kim, D. H. / Kim, D. W. / Lee, S. M. / Park, J. B. / Yun, D. J. / Kim, S. K. / Hwang, C. S.

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Titel:

Improved interface properties of atomic-layer-deposited HfO2 film on InP using interface sulfur passivation with H2S pre-deposition annealing

Beteiligte:

Jin, H. S. (Autor:in) / Cho, Y. J. (Autor:in) / Seok, T. J. (Autor:in) / Kim, D. H. (Autor:in) / Kim, D. W. (Autor:in) / Lee, S. M. (Autor:in) / Park, J. B. (Autor:in) / Yun, D. J. (Autor:in) / Kim, S. K. (Autor:in) / Hwang, C. S. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 357 ; 2306-2312

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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