Post-Growth Process Effect on Hetero-Epitaxial 3C-SiC Wafer Bow and Residual Stress: Fid-Bau Portal

Post-Growth Process Effect on Hetero-Epitaxial 3C-SiC Wafer Bow and Residual Stress

Anzalone, R. / Camarda, M. / Auditore, A. / Piluso, N. / Severino, A. / La Magna, A. / D Arrigo, G. / La Via, F.

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Titel:

Post-Growth Process Effect on Hetero-Epitaxial 3C-SiC Wafer Bow and Residual Stress

Beteiligte:

Anzalone, R. (Autor:in) / Camarda, M. (Autor:in) / Auditore, A. (Autor:in) / Piluso, N. (Autor:in) / Severino, A. (Autor:in) / La Magna, A. (Autor:in) / D Arrigo, G. (Autor:in) / La Via, F. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 301-305

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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