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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Al^+ Implanted 4H-SiC: Improved Electrical Activation and Ohmic Contacts

    Beteiligte:

    Nipoti, R. (Autor:in) / Hallen, A. (Autor:in) / Parisini, A. (Autor:in) / Moscatelli, F. (Autor:in) / Vantaggio, S. (Autor:in) / Lebedev, A.A. / Davydov, S.Y. / Ivanov, P.A. / Levinshtein, M.E.

    Erschienen in:

    Silicon Carbide and Related Materials 2012 Selected, peer reviewed papers from the 9th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2012), September 2-6, 2012, St. Petersburg, Russian Federation ; 767-772

    MATERIALS SCIENCE FORUM ; 740/742

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2013

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    0255-5476

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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