HfO2/GeOxNy/Ge gate stacks with sub-nanometer capacitance equivalent thickness and low interface trap density by in situ NH3 plasma pretreatment: Fid-Bau Portal

HfO2/GeOxNy/Ge gate stacks with sub-nanometer capacitance equivalent thickness and low interface trap density by in situ NH3 plasma pretreatment

Cao, Y. Q. / Chen, J. / Liu, X. J. / Li, X. / Cao, Z. Y. / Ma, Y. J. / Wu, D. / Li, A. D.

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Titel:

HfO2/GeOxNy/Ge gate stacks with sub-nanometer capacitance equivalent thickness and low interface trap density by in situ NH3 plasma pretreatment

Beteiligte:

Cao, Y. Q. (Autor:in) / Chen, J. (Autor:in) / Liu, X. J. (Autor:in) / Li, X. (Autor:in) / Cao, Z. Y. (Autor:in) / Ma, Y. J. (Autor:in) / Wu, D. (Autor:in) / Li, A. D. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 325 ; 13-19

Erscheinungsdatum:

01.01.2015

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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