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    Titel:

    Nitrogen-concentration modulated interface quality, band alignment and electrical properties of HfTiON/Ge gate stack pretreated by trimethylaluminum precursor

    Beteiligte:

    Gao, J. (Autor:in) / He, G. (Autor:in) / Xiao, D.Q. (Autor:in) / Jiang, S.S. (Autor:in) / Lv, J.G. (Autor:in) / Cheng, C. (Autor:in) / Sun, Z.Q. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Materials research bulletin ; 91 ; 166-172

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2017

    Format / Umfang:

    7 pages

    ISSN:

    0025-5408

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.11

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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