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    Dokumentinformationen
    Titel:

    Passivation of Ge surface treated with trimethylaluminum and investigation of electrical properties of HfTiO/Ge gate stacks

    Beteiligte:

    Gao, Juan (Autor:in) / He, Gang (Autor:in) / Xiao, Dongqi (Autor:in) / Jin, Peng (Autor:in) / Jiang, Shanshan (Autor:in) / Li, Wendong (Autor:in) / Liang, Shuang (Autor:in) / Zhu, Li (Autor:in)

    Erschienen in:

    Journal of materials science & technology ; 33 ; 901-906

    Erscheinungsdatum:

    01.01.2017

    Format / Umfang:

    6 pages

    ISSN:

    1005-0302

    Medientyp:

    Aufsatz (Zeitschrift)

    Format:

    Print

    Sprache:

    Englisch

    Klassifikation:

    DDC:  620.1105

    © Metadata Copyright the British Library Board and other contributors. All rights reserved.

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