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WAFER SUPPORT AND METHOD FOR MANUFACTURING WAFER SUPPORT
To provide a new wafer support in which a ceramic material excellent in workability is used.SOLUTION: A wafer support 10 includes: a substrate 12 made of machinable ceramic; and conductive members 14, 16 that are at least partially included in the substrate. The machinable ceramic comprises a material having a bending strength of 600 MPa or less, a Young's modulus of 250 GPa or less, and a Vickers hardness of 5 GPa or less. The material quality of the machinable ceramic is a sintered body comprising at least two materials which are selected from the group consisting of boron nitride, zirconium oxide, silicon nitride and silicon carbide and which contain boron nitride as essential components.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】加工性に優れたセラミックス材料を用いた新たなウエハ支持体を提供する。【解決手段】ウエハ支持体10は、マシナブルセラミックスからなる基材12と、基材に少なくとも一部が内包された導電部材14、16とを有する。マシナブルセラミックスは、曲げ強度が600MPa以下、ヤング率が250GPa以下、ビッカース硬度が5GPa以下である材料からなり、材質は窒化硼素、酸化ジルコニウム、窒化珪素および炭化珪素からなる群より選択された窒化硼素を必須とする少なくとも二つ以上の材料からなる焼結体である。【選択図】図1
WAFER SUPPORT AND METHOD FOR MANUFACTURING WAFER SUPPORT
To provide a new wafer support in which a ceramic material excellent in workability is used.SOLUTION: A wafer support 10 includes: a substrate 12 made of machinable ceramic; and conductive members 14, 16 that are at least partially included in the substrate. The machinable ceramic comprises a material having a bending strength of 600 MPa or less, a Young's modulus of 250 GPa or less, and a Vickers hardness of 5 GPa or less. The material quality of the machinable ceramic is a sintered body comprising at least two materials which are selected from the group consisting of boron nitride, zirconium oxide, silicon nitride and silicon carbide and which contain boron nitride as essential components.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】加工性に優れたセラミックス材料を用いた新たなウエハ支持体を提供する。【解決手段】ウエハ支持体10は、マシナブルセラミックスからなる基材12と、基材に少なくとも一部が内包された導電部材14、16とを有する。マシナブルセラミックスは、曲げ強度が600MPa以下、ヤング率が250GPa以下、ビッカース硬度が5GPa以下である材料からなり、材質は窒化硼素、酸化ジルコニウム、窒化珪素および炭化珪素からなる群より選択された窒化硼素を必須とする少なくとも二つ以上の材料からなる焼結体である。【選択図】図1
WAFER SUPPORT AND METHOD FOR MANUFACTURING WAFER SUPPORT
ウエハ支持体およびウエハ支持体の製造方法
MUNEDA YUKIO (Autor:in) / MORI KAZUMASA (Autor:in) / KONO HITOSHI (Autor:in) / ETO SHUNICHI (Autor:in)
24.09.2020
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch