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WAFER SUPPORT
A wafer support 28 comprises: a substrate 14 containing at least boron nitride as a machinable ceramic; a protective layer 16 covering a surface 14a of the substrate 14; and an electroconductive member 18 at least partially embedded in the substrate 14. The substrate 14 has a first layer 14b and a second layer 14c, which is arranged between the first layer 14b and the protective layer 16. The protective layer 16 is formed from a material that is less likely to corrode due to plasma than the substrate 14. When the proportion of boron nitride included in the first layer 14b is W1 [mass%] and the proportion of boron nitride included in the second layer 14c is W2 [mass%], formula (1): 5≤W1-W2≤35 is satisfied.
L'invention concerne un support de tranche (28) qui comprend : un substrat (14) contenant au moins du nitrure de bore en tant que céramique usinable ; une couche de protection (16) recouvrant une surface (14a) du substrat (14) ; et un élément électro-conducteur (18) au moins partiellement intégré dans le substrat (14). Le substrat (14) présente une première couche (14b) et une seconde couche (14c), qui est disposée entre la première couche (14b) et la couche de protection (16). La couche protectrice (16) est formée à partir d'un matériau qui est moins sensible à la corrosion causée par le plasma que le substrat (14). Lorsque la proportion de nitrure de bore comprise dans la première couche (14b) est W1 [% en masse] et la proportion de nitrure de bore comprise dans la seconde couche (14c) est W2 [% en masse], alors la formule (1) : 5 ≤ W1-W2 ≤ 35 est satisfaite.
ウエハ支持体２８は、マシナブルセラミックスとして少なくとも窒化ホウ素を含有する基材１４と、基材１４の表面１４ａを覆う保護層１６と、基材１４に少なくとも一部が内包された導電部材１８と、を備える。基材１４は、第１の層１４ｂと第１の層１４ｂと保護層１６との間に配置されている第２の層１４ｃと、を有する。保護層１６は、基材１４よりもプラズマによる腐食が少ない材料で構成されている。第１の層１４ｂに含まれる窒化ホウ素の割合をＷ１［質量％］、第２の層１４ｃに含まれる窒化ホウ素の割合をＷ２［質量％］とした場合に下記式（１） ５≦Ｗ１－Ｗ２≦３５・・・（１） を満たす。
WAFER SUPPORT
A wafer support 28 comprises: a substrate 14 containing at least boron nitride as a machinable ceramic; a protective layer 16 covering a surface 14a of the substrate 14; and an electroconductive member 18 at least partially embedded in the substrate 14. The substrate 14 has a first layer 14b and a second layer 14c, which is arranged between the first layer 14b and the protective layer 16. The protective layer 16 is formed from a material that is less likely to corrode due to plasma than the substrate 14. When the proportion of boron nitride included in the first layer 14b is W1 [mass%] and the proportion of boron nitride included in the second layer 14c is W2 [mass%], formula (1): 5≤W1-W2≤35 is satisfied.
L'invention concerne un support de tranche (28) qui comprend : un substrat (14) contenant au moins du nitrure de bore en tant que céramique usinable ; une couche de protection (16) recouvrant une surface (14a) du substrat (14) ; et un élément électro-conducteur (18) au moins partiellement intégré dans le substrat (14). Le substrat (14) présente une première couche (14b) et une seconde couche (14c), qui est disposée entre la première couche (14b) et la couche de protection (16). La couche protectrice (16) est formée à partir d'un matériau qui est moins sensible à la corrosion causée par le plasma que le substrat (14). Lorsque la proportion de nitrure de bore comprise dans la première couche (14b) est W1 [% en masse] et la proportion de nitrure de bore comprise dans la seconde couche (14c) est W2 [% en masse], alors la formule (1) : 5 ≤ W1-W2 ≤ 35 est satisfaite.
ウエハ支持体２８は、マシナブルセラミックスとして少なくとも窒化ホウ素を含有する基材１４と、基材１４の表面１４ａを覆う保護層１６と、基材１４に少なくとも一部が内包された導電部材１８と、を備える。基材１４は、第１の層１４ｂと第１の層１４ｂと保護層１６との間に配置されている第２の層１４ｃと、を有する。保護層１６は、基材１４よりもプラズマによる腐食が少ない材料で構成されている。第１の層１４ｂに含まれる窒化ホウ素の割合をＷ１［質量％］、第２の層１４ｃに含まれる窒化ホウ素の割合をＷ２［質量％］とした場合に下記式（１） ５≦Ｗ１－Ｗ２≦３５・・・（１） を満たす。
WAFER SUPPORT
SUPPORT DE TRANCHE
ウエハ支持体
YAMAGISHI WATARU (Autor:in) / MORI KAZUMASA (Autor:in) / KOUNO HITOSHI (Autor:in) / ETO SHUNICHI (Autor:in)
23.11.2023
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
WAFER SUPPORT AND METHOD FOR MANUFACTURING WAFER SUPPORT
| Europäisches Patentamt | 2020