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WAFER SUPPORT
To provide a novel wafer support which can suppress breakage by heat.SOLUTION: A wafer support 10 includes: a base material 12 composed of machinable ceramics; and a conductive member 16 with at least a part included in the base material. The base material 12 includes: a support part 18 with a loading surface 18a on which a wafer W is loaded; and a columnar part 20 provided on the opposite side to the loading surface 18a of the support part 18. The conductive member 16 which is included in the support 18, includes: a first resistance heating body 16a provided above the columnar part 20; and a second resistance heating body 16b provided adjacent to the first resistance heating body 16a at a position deviating from above the columnar part 20. Each of the first resistance heating body 16a and the second resistance heating body 16b can be independently conduction controlled.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】熱による破損を抑えられる新たなウエハ支持体を提供する。【解決手段】ウエハ支持体10は、マシナブルセラミックスからなる基材12と、基材に少なくとも一部が内包された導電部材16と、を備える。基材12は、ウエハWが搭載される搭載面18aを有する支持部18と、支持部18の搭載面18aと反対側に設けられている柱状部20と、を有する。導電部材16は、支持部18に内包されており、柱状部20の上方に設けられている第1の抵抗加熱体16aと、第1の抵抗加熱体16aに隣接し、柱状部20の上方から外れた位置に設けられている第2の抵抗加熱体16bと、を備える。第1の抵抗加熱体16aおよび第2の抵抗加熱体16bは、それぞれ独立した通電制御が可能なように構成されている。【選択図】図1
WAFER SUPPORT
To provide a novel wafer support which can suppress breakage by heat.SOLUTION: A wafer support 10 includes: a base material 12 composed of machinable ceramics; and a conductive member 16 with at least a part included in the base material. The base material 12 includes: a support part 18 with a loading surface 18a on which a wafer W is loaded; and a columnar part 20 provided on the opposite side to the loading surface 18a of the support part 18. The conductive member 16 which is included in the support 18, includes: a first resistance heating body 16a provided above the columnar part 20; and a second resistance heating body 16b provided adjacent to the first resistance heating body 16a at a position deviating from above the columnar part 20. Each of the first resistance heating body 16a and the second resistance heating body 16b can be independently conduction controlled.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】熱による破損を抑えられる新たなウエハ支持体を提供する。【解決手段】ウエハ支持体10は、マシナブルセラミックスからなる基材12と、基材に少なくとも一部が内包された導電部材16と、を備える。基材12は、ウエハWが搭載される搭載面18aを有する支持部18と、支持部18の搭載面18aと反対側に設けられている柱状部20と、を有する。導電部材16は、支持部18に内包されており、柱状部20の上方に設けられている第1の抵抗加熱体16aと、第1の抵抗加熱体16aに隣接し、柱状部20の上方から外れた位置に設けられている第2の抵抗加熱体16bと、を備える。第1の抵抗加熱体16aおよび第2の抵抗加熱体16bは、それぞれ独立した通電制御が可能なように構成されている。【選択図】図1
WAFER SUPPORT
ウエハ支持体
MORI KAZUMASA (Autor:in) / MUNEDA YUKIO (Autor:in) / KONO HITOSHI (Autor:in) / ETO SHUNICHI (Autor:in)
31.03.2022
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
WAFER SUPPORT AND METHOD FOR MANUFACTURING WAFER SUPPORT
Europäisches Patentamt | 2020
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