Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
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SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
A sputtering target provided with an oxide sintered compact including a spinel structure compound containing indium element (In), tin element (Sn), zinc element (Zn), an element X, and oxygen, the atomic ratios of the elements satisfying formula (1), and the spinel structure compound furthermore being represented by the formula Zn2SnO4. (1): 0.001 ≤ X/(In + Sn + Zn + X) ≤ 0.05. (In formula (1), In, Zn, Sn, and X represent the amounts of indium element, zinc element, tin element, and element X, respectively, contained in the oxide sintered compact. Element X is at least one species selected from Ge, Si, Y, Zr, Al, Mg, Yb, and Ga.)
L'invention concerne une cible de pulvérisation pourvue d'un compact fritté d'oxyde comprenant un composé à structure de spinelle contenant un élément indium (In), un élément étain (Sn), un élément zinc (Zn), un élément X et de l'oxygène, les rapports atomiques des éléments satisfaisant la formule (1), et le composé de structure de spinelle étant en outre représenté par la formule Zn2SnO4. (1) : 0,001 ≤ X/ (In + Sn + Zn + X) ≤ 0,05. (Dans la formule (1), In, Zn, Sn et X représentent les quantités respectives d'élément indium, d'élément zinc, d'élément étain et d'élément X contenus dans le compact fritté d'oxyde. L'élément X est au moins une espèce choisie parmi Ge, Si, Y, Zr, Al, Mg, Yb et Ga).
インジウム元素（Ｉｎ）、スズ元素（Ｓｎ）、亜鉛元素（Ｚｎ）、Ｘ元素、および酸素を含有し、各元素の原子比が下記式（１）を満たし、さらにＺｎ2ＳｎＯ4で表されるスピネル構造化合物を含む、酸化物焼結体を備える、スパッタリングターゲット。 ０．００１≦Ｘ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．０５ ・・・（１） （式（１）中、Ｉｎ、Ｚｎ、ＳｎおよびＸは、それぞれ酸化物焼結体中のインジウム元素、亜鉛元素、スズ元素およびＸ元素の含有量を表す。Ｘ元素は、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｙ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙｂ、およびＧａから少なくとも１種以上が選択される。）
SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
A sputtering target provided with an oxide sintered compact including a spinel structure compound containing indium element (In), tin element (Sn), zinc element (Zn), an element X, and oxygen, the atomic ratios of the elements satisfying formula (1), and the spinel structure compound furthermore being represented by the formula Zn2SnO4. (1): 0.001 ≤ X/(In + Sn + Zn + X) ≤ 0.05. (In formula (1), In, Zn, Sn, and X represent the amounts of indium element, zinc element, tin element, and element X, respectively, contained in the oxide sintered compact. Element X is at least one species selected from Ge, Si, Y, Zr, Al, Mg, Yb, and Ga.)
L'invention concerne une cible de pulvérisation pourvue d'un compact fritté d'oxyde comprenant un composé à structure de spinelle contenant un élément indium (In), un élément étain (Sn), un élément zinc (Zn), un élément X et de l'oxygène, les rapports atomiques des éléments satisfaisant la formule (1), et le composé de structure de spinelle étant en outre représenté par la formule Zn2SnO4. (1) : 0,001 ≤ X/ (In + Sn + Zn + X) ≤ 0,05. (Dans la formule (1), In, Zn, Sn et X représentent les quantités respectives d'élément indium, d'élément zinc, d'élément étain et d'élément X contenus dans le compact fritté d'oxyde. L'élément X est au moins une espèce choisie parmi Ge, Si, Y, Zr, Al, Mg, Yb et Ga).
インジウム元素（Ｉｎ）、スズ元素（Ｓｎ）、亜鉛元素（Ｚｎ）、Ｘ元素、および酸素を含有し、各元素の原子比が下記式（１）を満たし、さらにＺｎ2ＳｎＯ4で表されるスピネル構造化合物を含む、酸化物焼結体を備える、スパッタリングターゲット。 ０．００１≦Ｘ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ＋Ｘ）≦０．０５ ・・・（１） （式（１）中、Ｉｎ、Ｚｎ、ＳｎおよびＸは、それぞれ酸化物焼結体中のインジウム元素、亜鉛元素、スズ元素およびＸ元素の含有量を表す。Ｘ元素は、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｙ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙｂ、およびＧａから少なくとも１種以上が選択される。）
SPUTTERING TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE
CIBLE DE PULVÉRISATION, COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE À OXYDE, TRANSISTOR À COUCHES MINCES ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタおよび電子機器
OYAMA MASASHI (Autor:in) / ITOSE MAMI (Autor:in)
07.02.2019
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
Sputtering target, oxide semiconductor thin film, thin film transistor, and electronic device
| Europäisches Patentamt | 2020
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OF THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR AND SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2016
OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OF THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR AND SPUTTERING TARGET
| Europäisches Patentamt | 2016
| Europäisches Patentamt | 2018
OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, THIN-FILM TRANSISTOR, SPUTTERING TARGET, AND SINTERED OXIDE
| Europäisches Patentamt | 2023