Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
Eine Plattform für die Wissenschaft: Bauingenieurwesen, Architektur und Urbanistik
COPPER-CERAMIC JOINED BODY, AND INSULATION CIRCUIT SUBSTRATE
In this copper-ceramic joined body, at the junction interface of a copper member and a ceramic member, there are formed a nitride compound layer containing one or more nitride-forming elements selected from Ti, Nb, Hf, and Zr, and an Ag-Cu eutectic layer, in the stated order from the ceramic-member side. The thickness of the nitride compound layer is 0.15-1.0 µm, an intermetallic compound phase comprising an intermetallic compound that contains a nitride-forming element and Si is present between the copper member and the ceramic member, and Cu and Si are present at the grain boundary of the nitride compound layer.
La présente invention concerne un corps assemblé en cuivre-céramique dans lequel, au niveau de l'interface de jonction d'un élément en cuivre et d'un élément en céramique, une couche de composé de nitrure comportant un ou plusieurs éléments de formation de nitrure choisis parmi du Ti, du Nb, du Hf et du Zr, et une couche eutectique d'Ag-Cu sont formées, dans l'ordre indiqué à partir du côté de l'élément en céramique. L'épaisseur de la couche de composé de nitrure se situe entre 0,15 et 1,0 µm, une phase de composé intermétallique comprenant un composé intermétallique qui comporte un élément de formation de nitrure et du Si est présente entre l'élément en cuivre et l'élément en céramique, et du Cu et du Si sont présents au niveau de la limite de grain de la couche de composé de nitrure.
本発明の銅／セラミックス接合体では、銅部材とセラミックス部材との接合界面には、セラミックス部材側から順に、Ｔｉ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｚｒから選択される一種又は二種以上の窒化物形成元素を含む窒化化合物層と、Ａｇ－Ｃｕ共晶層と、が形成されており、窒化化合物層の厚さは０．１５μｍ以上１．０μｍ以下であり、銅部材とセラミックス部材との間には、窒化物形成元素とＳｉとを含む金属間化合物からなる金属間化合物相が存在しており、窒化化合物層の粒界にはＣｕ及びＳｉが存在している。
COPPER-CERAMIC JOINED BODY, AND INSULATION CIRCUIT SUBSTRATE
In this copper-ceramic joined body, at the junction interface of a copper member and a ceramic member, there are formed a nitride compound layer containing one or more nitride-forming elements selected from Ti, Nb, Hf, and Zr, and an Ag-Cu eutectic layer, in the stated order from the ceramic-member side. The thickness of the nitride compound layer is 0.15-1.0 µm, an intermetallic compound phase comprising an intermetallic compound that contains a nitride-forming element and Si is present between the copper member and the ceramic member, and Cu and Si are present at the grain boundary of the nitride compound layer.
La présente invention concerne un corps assemblé en cuivre-céramique dans lequel, au niveau de l'interface de jonction d'un élément en cuivre et d'un élément en céramique, une couche de composé de nitrure comportant un ou plusieurs éléments de formation de nitrure choisis parmi du Ti, du Nb, du Hf et du Zr, et une couche eutectique d'Ag-Cu sont formées, dans l'ordre indiqué à partir du côté de l'élément en céramique. L'épaisseur de la couche de composé de nitrure se situe entre 0,15 et 1,0 µm, une phase de composé intermétallique comprenant un composé intermétallique qui comporte un élément de formation de nitrure et du Si est présente entre l'élément en cuivre et l'élément en céramique, et du Cu et du Si sont présents au niveau de la limite de grain de la couche de composé de nitrure.
本発明の銅／セラミックス接合体では、銅部材とセラミックス部材との接合界面には、セラミックス部材側から順に、Ｔｉ，Ｎｂ，Ｈｆ，Ｚｒから選択される一種又は二種以上の窒化物形成元素を含む窒化化合物層と、Ａｇ－Ｃｕ共晶層と、が形成されており、窒化化合物層の厚さは０．１５μｍ以上１．０μｍ以下であり、銅部材とセラミックス部材との間には、窒化物形成元素とＳｉとを含む金属間化合物からなる金属間化合物相が存在しており、窒化化合物層の粒界にはＣｕ及びＳｉが存在している。
COPPER-CERAMIC JOINED BODY, AND INSULATION CIRCUIT SUBSTRATE
CORPS ASSEMBLÉ EN CUIVRE-CÉRAMIQUE ET SUBSTRAT DE CIRCUIT D'ISOLATION
銅／セラミックス接合体、及び、絶縁回路基板
TERASAKI NOBUYUKI (Autor:in)
04.01.2018
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
COPPER-CERAMIC JOINED BODY, AND INSULATION CIRCUIT SUBSTRATE
| Europäisches Patentamt | 2020
| Europäisches Patentamt | 2023
| Europäisches Patentamt | 2020
COPPER/CERAMIC JOINED BODY, AND INSULATION CIRCUIT BOARD
| Europäisches Patentamt | 2023
COPPER/CERAMIC JOINED BODY, AND INSULATION CIRCUIT BOARD
| Europäisches Patentamt | 2023