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COPPER/CERAMIC BONDED BODY, INSULATING CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC BONDED BODY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATING CIRCUIT BOARD
This copper/ceramic bonded body (10) is obtained by bonding copper members (12, 13) that are formed of copper or a copper alloy and a ceramic member (11) that is formed of a nitrogen-containing ceramic; an active metal nitride layer (41), which contains a nitride of one or more active metals that are selected from among Ti, Zr, Nb and Hf, is formed on the ceramic member (11) side between the copper members (12, 13) and the ceramic member (11); an Mg solid solution layer (45), wherein Mg is solid-solved in a matrix of Cu, is formed between the active metal nitride layer (41) and the copper members (12, 13); and Cu-containing particles (42), which are composed of either or both of Cu particles and compound particles of Cu and an active metal, are dispersed within the active metal nitride layer (41).
La présente invention concerne un corps lié de cuivre/céramique (10) obtenu par liaison d'éléments en cuivre (12, 13) qui sont formés de cuivre ou d'un alliage de cuivre et d'un élément en céramique (11) qui est formé d'une céramique contenant de l'azote ; d'une couche de nitrure de métal actif (41), qui contient un nitrure d'un ou plusieurs métaux actifs qui sont sélectionnés parmi Ti, Zr, Nb et Hf, est formée sur le côté d'élément en céramique (11) entre les éléments en cuivre (12, 13) et l'élément en céramique (11) ; une couche de solution solide Mg (45), Mg étant dissous à l'état solide dans une matrice de Cu, étant formée entre la couche de nitrure de métal actif (41) et les éléments en cuivre (12, 13) ; et les particules contenant du Cu (42), qui sont composées de l'une ou l'autre ou des deux des particules de Cu et des particules de composé de Cu et d'un métal actif, sont dispersées à l'intérieur de la couche de nitrure de métal actif (41).
この銅／セラミックス接合体（１０）は、銅又は銅合金からなる銅部材（１２、１３）と、窒素含有セラミックスからなるセラミックス部材（１１）とが接合されてなり、銅部材（１２、１３）とセラミックス部材（１１）との間においては、セラミックス部材（１１）側にＴｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種以上の活性金属の窒化物を含む活性金属窒化物層（４１）が形成され、この活性金属窒化物層（４１）と銅部材（１２、１３）との間にＣｕの母相中にＭｇが固溶したＭｇ固溶層（４５）が形成されており、活性金属窒化物層（４１）の内部に、Ｃｕ粒子及びＣｕと活性金属の化合物粒子のいずれか一方又は両方からなるＣｕ含有粒子（４２）が分散されている。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY, INSULATING CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC BONDED BODY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATING CIRCUIT BOARD
This copper/ceramic bonded body (10) is obtained by bonding copper members (12, 13) that are formed of copper or a copper alloy and a ceramic member (11) that is formed of a nitrogen-containing ceramic; an active metal nitride layer (41), which contains a nitride of one or more active metals that are selected from among Ti, Zr, Nb and Hf, is formed on the ceramic member (11) side between the copper members (12, 13) and the ceramic member (11); an Mg solid solution layer (45), wherein Mg is solid-solved in a matrix of Cu, is formed between the active metal nitride layer (41) and the copper members (12, 13); and Cu-containing particles (42), which are composed of either or both of Cu particles and compound particles of Cu and an active metal, are dispersed within the active metal nitride layer (41).
La présente invention concerne un corps lié de cuivre/céramique (10) obtenu par liaison d'éléments en cuivre (12, 13) qui sont formés de cuivre ou d'un alliage de cuivre et d'un élément en céramique (11) qui est formé d'une céramique contenant de l'azote ; d'une couche de nitrure de métal actif (41), qui contient un nitrure d'un ou plusieurs métaux actifs qui sont sélectionnés parmi Ti, Zr, Nb et Hf, est formée sur le côté d'élément en céramique (11) entre les éléments en cuivre (12, 13) et l'élément en céramique (11) ; une couche de solution solide Mg (45), Mg étant dissous à l'état solide dans une matrice de Cu, étant formée entre la couche de nitrure de métal actif (41) et les éléments en cuivre (12, 13) ; et les particules contenant du Cu (42), qui sont composées de l'une ou l'autre ou des deux des particules de Cu et des particules de composé de Cu et d'un métal actif, sont dispersées à l'intérieur de la couche de nitrure de métal actif (41).
この銅／セラミックス接合体（１０）は、銅又は銅合金からなる銅部材（１２、１３）と、窒素含有セラミックスからなるセラミックス部材（１１）とが接合されてなり、銅部材（１２、１３）とセラミックス部材（１１）との間においては、セラミックス部材（１１）側にＴｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆから選択される１種以上の活性金属の窒化物を含む活性金属窒化物層（４１）が形成され、この活性金属窒化物層（４１）と銅部材（１２、１３）との間にＣｕの母相中にＭｇが固溶したＭｇ固溶層（４５）が形成されており、活性金属窒化物層（４１）の内部に、Ｃｕ粒子及びＣｕと活性金属の化合物粒子のいずれか一方又は両方からなるＣｕ含有粒子（４２）が分散されている。
COPPER/CERAMIC BONDED BODY, INSULATING CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC BONDED BODY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATING CIRCUIT BOARD
CORPS LIÉ DE CUIVRE/CÉRAMIQUE, CARTE DE CIRCUIT ISOLÉ, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CORPS LIÉ DE CUIVRE/CÉRAMIQUE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE CARTE DE CIRCUIT ISOLÉ
銅／セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅／セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法
TERASAKI NOBUYUKI (Autor:in)
10.06.2021
Patent
Elektronische Ressource
Japanisch
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