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COMPOSITE QUARTZ CRUCIBLE PREPARATION METHOD AND COMPOSITE QUARTZ CRUCIBLE
A composite quartz crucible preparation method and a composite quartz crucible, which relate to the technical field of monocrystalline silicon. The method comprises: providing a first quartz sand layer (10), a second quartz sand layer (20) and a third quartz sand layer (30) having successively decreasing median particle sizes along the inner side of a crucible mold so as to obtain a composite quartz crucible blank (101); and carrying out arc melting on the blank so as to obtain a composite quartz crucible, the composite quartz crucible comprising a bubble layer (60), a first transparent layer (70) and a second transparent layer (80) that have decreasing bubble content from the outer side to the inner side (102). The present disclosure effectively reduces the content of microbubbles on the inner side near the surface layer of the quartz crucible, which reduces the impact of microbubble rupture on a growing monocrystalline silicon during the use of the quartz crucible to prepare the monocrystalline silicon, and improves the quality and crystallization rate of the monocrystalline silicon.
L'invention porte sur un procédé de préparation de creuset en quartz composite et un creuset en quartz composite, qui concernent le domaine technique du silicium monocristallin. Le procédé comprend : la disposition d'une première couche de sable de quartz (10), d'une deuxième couche de sable de quartz (20) et d'une troisième couche de sable de quartz (30) ayant des tailles médianes des particules diminuant successivement, le long du côté interne d'un moule de creuset de manière à obtenir une ébauche de creuset en quartz composite (101) ; et la réalisation d'une fusion à l'arc sur l'ébauche de manière à obtenir un creuset en quartz composite, le creuset en quartz composite comprenant une couche à bulles (60), une première couche transparente (70) et une seconde couche transparente (80) qui ont une teneur en bulles décroissante du côté externe vers le côté interne (102). La présente invention réduit efficacement la teneur en microbulles du côté interne à proximité de la couche de surface du creuset en quartz, ce qui réduit l'impact de la rupture de microbulles sur un silicium monocristallin en train de croître pendant l'utilisation du creuset en quartz pour préparer le silicium monocristallin et améliore la qualité et la vitesse de cristallisation du silicium monocristallin.
一种复合石英坩埚的制备方法及复合石英坩埚,涉及单晶硅技术领域。包括: 沿坩埚模具的内侧面依次设置中位粒径依次减小的第一石英砂层(10)、第二石英砂层 (20) 和第三石英砂层 (30),得到复合石英坩埚的料胚 (101); 对料胚进行电弧熔制以得到复合石英坩埚,复合石英坩埚包括由外侧面至内侧面气泡含量依次减小的气泡层 (60)、第一透明层 (70) 和第二透明层 (80)(102)。本公开有效的降低了石英坩埚内侧面近表层的微气泡含量,使得在利用石英坩埚制备单晶硅的过程中,减小了微气泡发生破裂对正在生长的单晶硅的影响,提高了单晶硅的品质和成晶率。
COMPOSITE QUARTZ CRUCIBLE PREPARATION METHOD AND COMPOSITE QUARTZ CRUCIBLE
A composite quartz crucible preparation method and a composite quartz crucible, which relate to the technical field of monocrystalline silicon. The method comprises: providing a first quartz sand layer (10), a second quartz sand layer (20) and a third quartz sand layer (30) having successively decreasing median particle sizes along the inner side of a crucible mold so as to obtain a composite quartz crucible blank (101); and carrying out arc melting on the blank so as to obtain a composite quartz crucible, the composite quartz crucible comprising a bubble layer (60), a first transparent layer (70) and a second transparent layer (80) that have decreasing bubble content from the outer side to the inner side (102). The present disclosure effectively reduces the content of microbubbles on the inner side near the surface layer of the quartz crucible, which reduces the impact of microbubble rupture on a growing monocrystalline silicon during the use of the quartz crucible to prepare the monocrystalline silicon, and improves the quality and crystallization rate of the monocrystalline silicon.
L'invention porte sur un procédé de préparation de creuset en quartz composite et un creuset en quartz composite, qui concernent le domaine technique du silicium monocristallin. Le procédé comprend : la disposition d'une première couche de sable de quartz (10), d'une deuxième couche de sable de quartz (20) et d'une troisième couche de sable de quartz (30) ayant des tailles médianes des particules diminuant successivement, le long du côté interne d'un moule de creuset de manière à obtenir une ébauche de creuset en quartz composite (101) ; et la réalisation d'une fusion à l'arc sur l'ébauche de manière à obtenir un creuset en quartz composite, le creuset en quartz composite comprenant une couche à bulles (60), une première couche transparente (70) et une seconde couche transparente (80) qui ont une teneur en bulles décroissante du côté externe vers le côté interne (102). La présente invention réduit efficacement la teneur en microbulles du côté interne à proximité de la couche de surface du creuset en quartz, ce qui réduit l'impact de la rupture de microbulles sur un silicium monocristallin en train de croître pendant l'utilisation du creuset en quartz pour préparer le silicium monocristallin et améliore la qualité et la vitesse de cristallisation du silicium monocristallin.
一种复合石英坩埚的制备方法及复合石英坩埚,涉及单晶硅技术领域。包括: 沿坩埚模具的内侧面依次设置中位粒径依次减小的第一石英砂层(10)、第二石英砂层 (20) 和第三石英砂层 (30),得到复合石英坩埚的料胚 (101); 对料胚进行电弧熔制以得到复合石英坩埚,复合石英坩埚包括由外侧面至内侧面气泡含量依次减小的气泡层 (60)、第一透明层 (70) 和第二透明层 (80)(102)。本公开有效的降低了石英坩埚内侧面近表层的微气泡含量,使得在利用石英坩埚制备单晶硅的过程中,减小了微气泡发生破裂对正在生长的单晶硅的影响,提高了单晶硅的品质和成晶率。
COMPOSITE QUARTZ CRUCIBLE PREPARATION METHOD AND COMPOSITE QUARTZ CRUCIBLE
PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE CREUSET EN QUARTZ COMPOSITE ET CREUSET EN QUARTZ COMPOSITE
一种复合石英坩埚的制备方法及复合石英坩埚
HAN DONG (Autor:in) / GUO HUAYING (Autor:in) / LIU PAN (Autor:in) / LIU YANG (Autor:in) / WANG ZHENG (Autor:in) / ZHOU JUNXIANG (Autor:in)
14.10.2021
Patent
Elektronische Ressource
Chinesisch
IPC:
B28B
Formgeben von Ton oder anderen keramischen Stoffzusammensetzungen, Schlacke oder von Mischungen, die zementartiges Material enthalten, z.B. Putzmörtel
,
SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS, SLAG OR MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
/
C04B
Kalk
,
LIME
/
C30B
SINGLE-CRYSTAL GROWTH
,
Züchten von Einkristallen
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