A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREOF
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target capable of depositing a ZnOSmembrane with a stable membrane composition in a large area; and to provide a production method thereof.SOLUTION: A sputtering target comprises a sintered body having a composition expressed by general formula: ZnO1-xSx, where, 0
【課題】ＺｎＯ１−ｘＳｘ膜を安定した膜組成で広い面積に成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】一般式：ＺｎＯ１−ｘＳｘ、ここで０＜ｘ＜０．５３（単位：原子比）で表される組成を有する焼結体からなり、相対密度が８０％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。このスパッタリングターゲットは、ＺｎＯ粉末と、硫酸根の含有量が１２００質量ｐｐｍ以下であるＺｎＳ粉末とを含む混合粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中にて加圧焼結する工程を含む方法によって製造できる。【選択図】図１
SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREOF
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target capable of depositing a ZnOSmembrane with a stable membrane composition in a large area; and to provide a production method thereof.SOLUTION: A sputtering target comprises a sintered body having a composition expressed by general formula: ZnO1-xSx, where, 0
【課題】ＺｎＯ１−ｘＳｘ膜を安定した膜組成で広い面積に成膜可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。【解決手段】一般式：ＺｎＯ１−ｘＳｘ、ここで０＜ｘ＜０．５３（単位：原子比）で表される組成を有する焼結体からなり、相対密度が８０％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。このスパッタリングターゲットは、ＺｎＯ粉末と、硫酸根の含有量が１２００質量ｐｐｍ以下であるＺｎＳ粉末とを含む混合粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中にて加圧焼結する工程を含む方法によって製造できる。【選択図】図１
SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREOF
スパッタリングターゲットおよびその製造方法
SAITO ATSUSHI (author) / URAYAMA TSUNETARO (author)
2017-09-28
Patent
Electronic Resource
Japanese
SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| European Patent Office | 2020