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SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION THEREOF
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel and improved sputtering target enabled to reduce a specific resistance more and to form an electric thin film at a high rate by lowering a specific resistance more and because of the absence a high-resistance portion in the thickness direction.SOLUTION: A sputtering target has a composition expressed by BaSrTiOand contains hydrogen atoms of 1×10/cmand 2×10/cm, wherein the maximum of a specific resistance is 10 mΩ cm, wherein the average crystal particle diameter is 5 μm or less, and wherein a relative density is 98% or more.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】より一層比抵抗を低下させると共に、厚み方向に高抵抗部分がないことにより、誘電体薄膜を高速成膜することが可能な、新規かつ改良されたスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】ＢａxＳｒ1-xＴｉyＯ3で示される組成を有し、１×１０19個／ｃｍ3以上２×１０21個／ｃｍ3以下の水素原子を含み、比抵抗の最大値が１０ｍΩ・ｃｍ以下であり、平均結晶粒径が５μｍ以下であり、相対密度が９８％以上である、スパッタリングターゲット。【選択図】図１
SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION THEREOF
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel and improved sputtering target enabled to reduce a specific resistance more and to form an electric thin film at a high rate by lowering a specific resistance more and because of the absence a high-resistance portion in the thickness direction.SOLUTION: A sputtering target has a composition expressed by BaSrTiOand contains hydrogen atoms of 1×10/cmand 2×10/cm, wherein the maximum of a specific resistance is 10 mΩ cm, wherein the average crystal particle diameter is 5 μm or less, and wherein a relative density is 98% or more.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】より一層比抵抗を低下させると共に、厚み方向に高抵抗部分がないことにより、誘電体薄膜を高速成膜することが可能な、新規かつ改良されたスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】ＢａxＳｒ1-xＴｉyＯ3で示される組成を有し、１×１０19個／ｃｍ3以上２×１０21個／ｃｍ3以下の水素原子を含み、比抵抗の最大値が１０ｍΩ・ｃｍ以下であり、平均結晶粒径が５μｍ以下であり、相対密度が９８％以上である、スパッタリングターゲット。【選択図】図１
SPUTTERING TARGET, AND PRODUCTION THEREOF
スパッタリングターゲットおよびその製造方法
TAKATSUKA YUJI (author)
2018-03-08
Patent
Electronic Resource
Japanese
SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET PRODUCTION METHOD
| European Patent Office | 2020