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SPUTTERING TARGET FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
To provide a sputtering target for a transparent conductive film, the sputtering target being capable of DC sputtering due to its low resistivity, generating less nodule and arching, and providing a formation of the transparent conductive film having a high resistivity and a high etching workability by sputtering.SOLUTION: A sputtering target for a transparent conductive film consists of elements of In, Sn, Si and O, or In, Si, and O, content of In being 70.0 mass% or more and less than 85.0 mass% based on InO, content of Sn being 0 mass% or more and 10.0 mass% or less based on SnO, content of Si being 15.0 mass% or more and 20.0 mass% or less based on SiO. In an X-ray diffraction measurement, all Si appear as a peak of silicon indium compound, InSiO, having a thortveitite-type structure.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】比抵抗が低く、ＤＣスパッタリングが可能であり、ノジュールやアーキングの発生が少なく、スパッタリングにより、高い膜比抵抗および高いエッチング加工性を有する透明導電膜を形成することができる透明導電膜用スパッタリングターゲットの提供。【解決手段】構成元素がＩｎ、Ｓｎ、ＳｉおよびＯ、またはＩｎ、ＳｉおよびＯであり、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で７０．０質量％以上８５．０質量％未満であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で０質量％以上１０．０質量％以下であり、Ｓｉの含有比率がＳｉＯ2換算で１５．０質量％より大きく、２０．０質量％以下である酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットのＸ線回折測定において、Ｓｉがすべてトルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物Ｉｎ２Ｓｉ２Ｏ７のピークとして現れる透明導電膜用スパッタリングターゲット。【選択図】図１
SPUTTERING TARGET FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
To provide a sputtering target for a transparent conductive film, the sputtering target being capable of DC sputtering due to its low resistivity, generating less nodule and arching, and providing a formation of the transparent conductive film having a high resistivity and a high etching workability by sputtering.SOLUTION: A sputtering target for a transparent conductive film consists of elements of In, Sn, Si and O, or In, Si, and O, content of In being 70.0 mass% or more and less than 85.0 mass% based on InO, content of Sn being 0 mass% or more and 10.0 mass% or less based on SnO, content of Si being 15.0 mass% or more and 20.0 mass% or less based on SiO. In an X-ray diffraction measurement, all Si appear as a peak of silicon indium compound, InSiO, having a thortveitite-type structure.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】比抵抗が低く、ＤＣスパッタリングが可能であり、ノジュールやアーキングの発生が少なく、スパッタリングにより、高い膜比抵抗および高いエッチング加工性を有する透明導電膜を形成することができる透明導電膜用スパッタリングターゲットの提供。【解決手段】構成元素がＩｎ、Ｓｎ、ＳｉおよびＯ、またはＩｎ、ＳｉおよびＯであり、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で７０．０質量％以上８５．０質量％未満であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で０質量％以上１０．０質量％以下であり、Ｓｉの含有比率がＳｉＯ2換算で１５．０質量％より大きく、２０．０質量％以下である酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットのＸ線回折測定において、Ｓｉがすべてトルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物Ｉｎ２Ｓｉ２Ｏ７のピークとして現れる透明導電膜用スパッタリングターゲット。【選択図】図１
SPUTTERING TARGET FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
透明導電膜用スパッタリングターゲット
YANO TOMOYASU (author) / KODAIRA TOSHIHIRO (author) / TATEYAMA SHINICHI (author) / NAKAMURA SHINICHIRO (author)
2019-03-14
Patent
Electronic Resource
Japanese
Sputtering target, transparent conductive film and transparent electrode
| European Patent Office | 2015
SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE THIN FILM, AND CONDUCTIVE FILM
| European Patent Office | 2016
SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE THIN FILM, AND CONDUCTIVE FILM
| European Patent Office | 2016