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SPUTTERING TARGET FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
This sputtering target for transparent conductive film comprises an oxide sintered compact having, as constituent elements, In, Sn, Si and O, or In, Si and O, the content ratio of In being 70.0% by mass to less than 85.0% by mass in terms of In2O3, the content of ratio of Sn being from 0% by mass to 10.0% by mass in terms of SnO2, and the content of Si being greater than 15.0% by mass but not exceeding 20.0% by mass in terms of SiO2. In X-ray diffraction measurement of this sputtering target, all of the Si appears as a peak of an indium silicate compound having a thortveitite structure. The sputtering target for conductive film of the present application has a low resistivity, DC sputtering can be carried out, and there is minimal occurrence of nodules and arcing. In addition, by sputtering it is possible to form a transparent conductive film having high film resistivity and high etching workability.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation cathodique pour film conducteur transparent comprenant un comprimé fritté d'oxyde ayant, comme éléments constitutifs, In, Sn, Si et O, ou In, Si et O, le rapport des teneurs en In étant de 70,0 % en masse à moins de 85,0 % en masse en termes de In2O3, le rapport des teneurs en Sn étant de 0 % en masse à 10,0 % en masse en termes de SnO2, et la teneur en Si étant supérieure à 15,0 % en masse mais n'excède pas 20,0 % en masse en termes de SiO2. Dans la mesure de diffraction des rayons X de cette cible de pulvérisation cathodique, tous les Si apparaissent sous la forme d'un pic d'un composé silicate d'indium ayant une structure de thortveitite. La cible de pulvérisation cathodique pour film conducteur de la présente invention présente une faible résistivité, une pulvérisation cathodique en courant continu peut être conduite, et les formations de nodules et d'arc électrique sont minimales. De plus, par pulvérisation cathodique il est possible de former un film conducteur transparent présentant une résistivité de film élevée et une aptitude à la gravure élevée.
構成元素がＩｎ、Ｓｎ、ＳｉおよびＯ、またはＩｎ、ＳｉおよびＯであり、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で７０．０質量％以上８５．０質量％未満であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で０質量％以上１０．０質量％以下であり、Ｓｉの含有比率がＳｉＯ2換算で１５．０質量％より大きく、２０．０質量％以下である酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットのＸ線回折測定において、Ｓｉがすべてトルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物のピークとして現れる透明導電膜用スパッタリングターゲット。本発明の導電膜形成用スパッタリングターゲットは、比抵抗が低く、ＤＣスパッタリングを行うことが可能であり、ノジュールやアーキングの発生が少ない。また、スパッタリングにより、高い膜比抵抗および高いエッチング加工性を有する透明導電膜を形成することができる。
SPUTTERING TARGET FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
This sputtering target for transparent conductive film comprises an oxide sintered compact having, as constituent elements, In, Sn, Si and O, or In, Si and O, the content ratio of In being 70.0% by mass to less than 85.0% by mass in terms of In2O3, the content of ratio of Sn being from 0% by mass to 10.0% by mass in terms of SnO2, and the content of Si being greater than 15.0% by mass but not exceeding 20.0% by mass in terms of SiO2. In X-ray diffraction measurement of this sputtering target, all of the Si appears as a peak of an indium silicate compound having a thortveitite structure. The sputtering target for conductive film of the present application has a low resistivity, DC sputtering can be carried out, and there is minimal occurrence of nodules and arcing. In addition, by sputtering it is possible to form a transparent conductive film having high film resistivity and high etching workability.
La présente invention concerne une cible de pulvérisation cathodique pour film conducteur transparent comprenant un comprimé fritté d'oxyde ayant, comme éléments constitutifs, In, Sn, Si et O, ou In, Si et O, le rapport des teneurs en In étant de 70,0 % en masse à moins de 85,0 % en masse en termes de In2O3, le rapport des teneurs en Sn étant de 0 % en masse à 10,0 % en masse en termes de SnO2, et la teneur en Si étant supérieure à 15,0 % en masse mais n'excède pas 20,0 % en masse en termes de SiO2. Dans la mesure de diffraction des rayons X de cette cible de pulvérisation cathodique, tous les Si apparaissent sous la forme d'un pic d'un composé silicate d'indium ayant une structure de thortveitite. La cible de pulvérisation cathodique pour film conducteur de la présente invention présente une faible résistivité, une pulvérisation cathodique en courant continu peut être conduite, et les formations de nodules et d'arc électrique sont minimales. De plus, par pulvérisation cathodique il est possible de former un film conducteur transparent présentant une résistivité de film élevée et une aptitude à la gravure élevée.
構成元素がＩｎ、Ｓｎ、ＳｉおよびＯ、またはＩｎ、ＳｉおよびＯであり、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で７０．０質量％以上８５．０質量％未満であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で０質量％以上１０．０質量％以下であり、Ｓｉの含有比率がＳｉＯ2換算で１５．０質量％より大きく、２０．０質量％以下である酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットであって、前記スパッタリングターゲットのＸ線回折測定において、Ｓｉがすべてトルトバイタイト型構造を有する珪酸インジウム化合物のピークとして現れる透明導電膜用スパッタリングターゲット。本発明の導電膜形成用スパッタリングターゲットは、比抵抗が低く、ＤＣスパッタリングを行うことが可能であり、ノジュールやアーキングの発生が少ない。また、スパッタリングにより、高い膜比抵抗および高いエッチング加工性を有する透明導電膜を形成することができる。
SPUTTERING TARGET FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE POUR FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
透明導電膜用スパッタリングターゲット
YANO TOMOYASU (author) / KOHIRA TOSHIHIRO (author) / TATEYAMA SHINICHI (author) / NAKAMURA SHINICHIRO (author)
2018-11-22
Patent
Electronic Resource
Japanese
Sputtering target, transparent conductive film and transparent electrode
| European Patent Office | 2015
SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE THIN FILM, AND CONDUCTIVE FILM
| European Patent Office | 2016
SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE THIN FILM, AND CONDUCTIVE FILM
| European Patent Office | 2016