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SPUTTERING TARGET FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
This sputtering target for transparent conductive film comprises an oxide sintered compact having, as constituent elements, In, Sn, Si and O, the content ratio of In being greater than 25.0% by mass but not more than 82.0% by mass in terms of In2O3, the content ratio of Sn being 15.0% by mass to 65.0% by mass in terms of SnO2, and the content ratio of Si being at least 3.0% by mass but less than 10.0% by mass in terms of SiO2. This sputtering target for conductive film has low resistivity, it is possible to perform DC sputtering, and by sputtering it is possible to form a transparent conductive film having high film resistivity and high chemical resistance.
Cette invention concerne une cible de pulvérisation pour film conducteur transparent comprenant un compact fritté à base d'oxydes contenant, à titre d'éléments constitutifs, In, Sn, Si et O, la teneur en In étant supérieure à 25,0 % en poids mais inférieure ou égale à 82,0 % en poids en termes de In2O3, la teneur en Sn, de 15,0% à 65,0 % en poids en termes de SnO2, et la teneur en Si d'au moins 3,0 % en poids mais inférieure à 10 % en poids en termes de SiO2. La cible de pulvérisation pour film conducteur selon l'invention a une faible résistivité, permet de procéder à une pulvérisation CC, et par pulvérisation cathodique, permet de former un film conducteur transparent ayant une résistivité de film élevée et une résistance aux produits chimiques élevée.
本発明は、構成元素がＩｎ、Ｓｎ、ＳｉおよびＯであり、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で２５．０質量％より大きく８２．０質量％以下であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で１５．０質量％以上６５．０質量％以下であり、Ｓｉの含有比率がＳｉＯ2換算で３．０質量％以上１０．０質量％未満である酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットである。本発明の導電膜形成用スパッタリングターゲットは、比抵抗が低く、ＤＣスパッタリングを行うことが可能であり、スパッタリングにより、高い膜比抵抗および高い耐薬品性を有する透明導電膜を形成することができる。
SPUTTERING TARGET FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
This sputtering target for transparent conductive film comprises an oxide sintered compact having, as constituent elements, In, Sn, Si and O, the content ratio of In being greater than 25.0% by mass but not more than 82.0% by mass in terms of In2O3, the content ratio of Sn being 15.0% by mass to 65.0% by mass in terms of SnO2, and the content ratio of Si being at least 3.0% by mass but less than 10.0% by mass in terms of SiO2. This sputtering target for conductive film has low resistivity, it is possible to perform DC sputtering, and by sputtering it is possible to form a transparent conductive film having high film resistivity and high chemical resistance.
Cette invention concerne une cible de pulvérisation pour film conducteur transparent comprenant un compact fritté à base d'oxydes contenant, à titre d'éléments constitutifs, In, Sn, Si et O, la teneur en In étant supérieure à 25,0 % en poids mais inférieure ou égale à 82,0 % en poids en termes de In2O3, la teneur en Sn, de 15,0% à 65,0 % en poids en termes de SnO2, et la teneur en Si d'au moins 3,0 % en poids mais inférieure à 10 % en poids en termes de SiO2. La cible de pulvérisation pour film conducteur selon l'invention a une faible résistivité, permet de procéder à une pulvérisation CC, et par pulvérisation cathodique, permet de former un film conducteur transparent ayant une résistivité de film élevée et une résistance aux produits chimiques élevée.
本発明は、構成元素がＩｎ、Ｓｎ、ＳｉおよびＯであり、Ｉｎの含有比率がＩｎ2Ｏ3換算で２５．０質量％より大きく８２．０質量％以下であり、Ｓｎの含有比率がＳｎＯ2換算で１５．０質量％以上６５．０質量％以下であり、Ｓｉの含有比率がＳｉＯ2換算で３．０質量％以上１０．０質量％未満である酸化物焼結体からなる透明導電膜用スパッタリングターゲットである。本発明の導電膜形成用スパッタリングターゲットは、比抵抗が低く、ＤＣスパッタリングを行うことが可能であり、スパッタリングにより、高い膜比抵抗および高い耐薬品性を有する透明導電膜を形成することができる。
SPUTTERING TARGET FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
CIBLE DE PULVÉRISATION POUR FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
透明導電膜用スパッタリングターゲット
YANO TOMOYASU (author) / KOHIRA TOSHIHIRO (author) / TATEYAMA SHINICHI (author) / NAKAMURA SHINICHIRO (author)
2018-11-22
Patent
Electronic Resource
Japanese
Sputtering target, transparent conductive film and transparent electrode
| European Patent Office | 2015
SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE THIN FILM, AND CONDUCTIVE FILM
| European Patent Office | 2016
SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE THIN FILM, AND CONDUCTIVE FILM
| European Patent Office | 2016