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TRANSPARENT OXIDE FILM, METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT OXIDE FILM, OXIDE SINTERED COMPACT AND TRANSPARENT RESIN SUBSTRATE
Provided are: a transparent oxide film that has high transparency, good water vapor barrier performance, excellent chemical resistance and high flexibility; a method for producing the transparent oxide film by direct current sputtering with high mass productivity; an oxide sintered compact for forming a film; and a transparent resin substrate using the transparent oxide film. An amorphous transparent oxide film containing Zn and Sn, wherein the metal atom ratio Sn/(Zn+Sn) is 0.44-0.90 inclusive, and the film thickness is not more than 100 nm. A method for producing a transparent oxide film by sputtering with the use of a target comprising an Sn-Zn-O-based oxide sintered compact, wherein: in the oxide sintered compact containing Zn and Sn to be used in the sputtering, the metal atom ratio Sn/(Zn+Sn) is 0.44-0.90 inclusive; and the thickness of the film formed thereby is not more than 100 nm.
L'invention concerne : un film transparent à base d'oxyde qui a une transparence élevée, une bonne performance de barrière à la vapeur d'eau, une excellente résistance chimique et une flexibilité élevée ; un procédé de production du film transparent d'oxyde par pulvérisation en courant continu permettant une productivité de masse élevée ; un comprimé fritté à base d'oxyde pour former un film ; et un substrat transparent en résine utilisant le film transparent à base d'oxyde. Le film transparent amorphe à base d'oxyde contient du Zn et Sn, le rapport atomique du métal Sn/ (Zn + Sn) étant compris entre 0,44 et 0,90 inclus, et l'épaisseur du film étant inférieure ou égale à 100 nm. L'invention concerne un procédé de production d'un film transparent à base d'oxyde par pulvérisation à l'aide d'une cible comprenant un comprimé fritté d'oxyde à base de Sn-Zn-O : dans le compact fritté d'oxyde contenant du Zn et du Sn à utiliser dans la pulvérisation, le rapport atomique de métal Sn/ (Zn + Sn) étant compris entre 0,44 et 0,90 inclus ; et l'épaisseur du film ainsi formé étant inférieure ou égale à 100 nm.
量産性の高い直流スパッタリングにて、良好な透明性、水蒸気バリア性能、そして優れた耐薬品性を有し、フレキシブル性にも優れた透明酸化物膜とその製造方法、膜を成膜するための酸化物焼結体、そして明酸化物膜を用いた透明樹脂基板を提供する。ＺｎとＳｎとを含有する非晶質の透明酸化物膜であって、金属原子数比で、Ｓｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）が０．４４以上０．９０以下であり、膜厚が１００ｎｍ以下である。また、Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系の酸化物焼結体からなるターゲットを用いてスパッタリングし、透明酸化物膜を得る透明酸化物膜の製造方法であって、スパッタリング時に用いられる前記酸化物焼結体に含有するＺｎとＳｎの金属原子数比のＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）が０．４４以上０．９０以下であり、成膜する膜厚が１００ｎｍ以下である。
TRANSPARENT OXIDE FILM, METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT OXIDE FILM, OXIDE SINTERED COMPACT AND TRANSPARENT RESIN SUBSTRATE
Provided are: a transparent oxide film that has high transparency, good water vapor barrier performance, excellent chemical resistance and high flexibility; a method for producing the transparent oxide film by direct current sputtering with high mass productivity; an oxide sintered compact for forming a film; and a transparent resin substrate using the transparent oxide film. An amorphous transparent oxide film containing Zn and Sn, wherein the metal atom ratio Sn/(Zn+Sn) is 0.44-0.90 inclusive, and the film thickness is not more than 100 nm. A method for producing a transparent oxide film by sputtering with the use of a target comprising an Sn-Zn-O-based oxide sintered compact, wherein: in the oxide sintered compact containing Zn and Sn to be used in the sputtering, the metal atom ratio Sn/(Zn+Sn) is 0.44-0.90 inclusive; and the thickness of the film formed thereby is not more than 100 nm.
L'invention concerne : un film transparent à base d'oxyde qui a une transparence élevée, une bonne performance de barrière à la vapeur d'eau, une excellente résistance chimique et une flexibilité élevée ; un procédé de production du film transparent d'oxyde par pulvérisation en courant continu permettant une productivité de masse élevée ; un comprimé fritté à base d'oxyde pour former un film ; et un substrat transparent en résine utilisant le film transparent à base d'oxyde. Le film transparent amorphe à base d'oxyde contient du Zn et Sn, le rapport atomique du métal Sn/ (Zn + Sn) étant compris entre 0,44 et 0,90 inclus, et l'épaisseur du film étant inférieure ou égale à 100 nm. L'invention concerne un procédé de production d'un film transparent à base d'oxyde par pulvérisation à l'aide d'une cible comprenant un comprimé fritté d'oxyde à base de Sn-Zn-O : dans le compact fritté d'oxyde contenant du Zn et du Sn à utiliser dans la pulvérisation, le rapport atomique de métal Sn/ (Zn + Sn) étant compris entre 0,44 et 0,90 inclus ; et l'épaisseur du film ainsi formé étant inférieure ou égale à 100 nm.
量産性の高い直流スパッタリングにて、良好な透明性、水蒸気バリア性能、そして優れた耐薬品性を有し、フレキシブル性にも優れた透明酸化物膜とその製造方法、膜を成膜するための酸化物焼結体、そして明酸化物膜を用いた透明樹脂基板を提供する。ＺｎとＳｎとを含有する非晶質の透明酸化物膜であって、金属原子数比で、Ｓｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）が０．４４以上０．９０以下であり、膜厚が１００ｎｍ以下である。また、Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系の酸化物焼結体からなるターゲットを用いてスパッタリングし、透明酸化物膜を得る透明酸化物膜の製造方法であって、スパッタリング時に用いられる前記酸化物焼結体に含有するＺｎとＳｎの金属原子数比のＳｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）が０．４４以上０．９０以下であり、成膜する膜厚が１００ｎｍ以下である。
TRANSPARENT OXIDE FILM, METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT OXIDE FILM, OXIDE SINTERED COMPACT AND TRANSPARENT RESIN SUBSTRATE
FILM TRANSPARENT À BASE D'OXYDE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM TRANSPARENT À BASE D'OXYDE, SUBSTRAT EN RÉSINE FRITTÉ TRANSPARENT ET COMPACT À BASE D'OXYDE
透明酸化物膜、透明酸化物膜の製造方法、酸化物焼結体及び透明樹脂基板
SHIMOYAMADA TAKUYA (author) / KUWAHARA MASAKAZU (author) / NITO SHIGEO (author)
2019-09-26
Patent
Electronic Resource
Japanese
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