A platform for research: civil engineering, architecture and urbanism
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3D MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING 3D MEMORY DEVICE
A method for forming 3D memory device includes forming an alternating dielectric stack in a contact region on a substrate, forming a plurality of contact holes with various depths vertically extending in the alternating dielectric stack, forming a sacrificial-filling layer to fill the contact holes, forming a plurality of dummy channel holes penetrating the alternating dielectric stack in the contact region, filling the dummy channel holes with a dielectric material to form supporters, and replacing the sacrificial layers of the alternating dielectric stack and the sacrificial-filling layer with conductive layers so as to form a plurality of gate lines and contacts.
Un procédé de formation de dispositif de mémoire 3D comprend la formation d'une pile diélectrique alternée dans une région de contact sur un substrat, la formation d'une pluralité de trous de contact ayant diverses profondeurs s'étendant verticalement dans la pile diélectrique alternée, la formation d'une couche de remplissage sacrificielle pour remplir les trous de contact, la formation d'une pluralité de trous de canal factices pénétrant dans la pile diélectrique alternée dans la région de contact, le remplissage des trous de canal factices avec un matériau diélectrique pour former des supports, et le remplacement des couches sacrificielles de la pile diélectrique alternée et de la couche de remplissage sacrificielle par des couches conductrices de manière à former une pluralité de lignes de grille et de contacts.
3D MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING 3D MEMORY DEVICE
A method for forming 3D memory device includes forming an alternating dielectric stack in a contact region on a substrate, forming a plurality of contact holes with various depths vertically extending in the alternating dielectric stack, forming a sacrificial-filling layer to fill the contact holes, forming a plurality of dummy channel holes penetrating the alternating dielectric stack in the contact region, filling the dummy channel holes with a dielectric material to form supporters, and replacing the sacrificial layers of the alternating dielectric stack and the sacrificial-filling layer with conductive layers so as to form a plurality of gate lines and contacts.
Un procédé de formation de dispositif de mémoire 3D comprend la formation d'une pile diélectrique alternée dans une région de contact sur un substrat, la formation d'une pluralité de trous de contact ayant diverses profondeurs s'étendant verticalement dans la pile diélectrique alternée, la formation d'une couche de remplissage sacrificielle pour remplir les trous de contact, la formation d'une pluralité de trous de canal factices pénétrant dans la pile diélectrique alternée dans la région de contact, le remplissage des trous de canal factices avec un matériau diélectrique pour former des supports, et le remplacement des couches sacrificielles de la pile diélectrique alternée et de la couche de remplissage sacrificielle par des couches conductrices de manière à former une pluralité de lignes de grille et de contacts.
3D MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING 3D MEMORY DEVICE
DISPOSITIF DE MÉMOIRE 3D ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE DISPOSITIF DE MÉMOIRE 3D
XIAO LIHONG (author)
2020-04-02
Patent
Electronic Resource
English
IPC:
H10B
THREE-DIMENSIONAL NAND MEMORY DEVICE AND FORMING METHOD THEREOF
| European Patent Office | 2021
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2022
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2022
THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2022
NOVEL 3D NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
| European Patent Office | 2021