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MAGNESIUM OXIDE SPUTTERING TARGET
A sputtering target comprising a magnesium oxide sintered compact, the sputtering target being characterized in that the ratio of crystal grains of the magnesium oxide sintered compact in which the number of pinholes in a single crystal grain is 20 or greater is 50% or less. The present invention addresses the problem of providing a sputtering target comprising a magnesium oxide sintered compact, wherein there is minimal generation of particles during sputtering.
L'invention concerne une cible de pulvérisation comprenant un comprimé fritté d'oxyde de magnésium, la cible de pulvérisation étant caractérisée en ce que le rapport des grains cristallins du comprimé fritté d'oxyde de magnésium, dans lequel le nombre de trous d'épingle dans un grain monocristallin est supérieur ou égal à 20, est inférieur ou égal à 50 %. La présente invention vise à fournir une cible de pulvérisation comprenant un comprimé fritté d'oxyde de magnésium, dans lequel il y a une génération minimale de particules pendant la pulvérisation.
酸化マグネシウム焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、前記酸化マグネシウム焼結体の一つの結晶粒内にピンホールの数が２０個以上存在する結晶粒の割合が５０％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。本発明は、酸化マグネシウム焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、スパッタリング時にパーティクルの発生が少ないスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
MAGNESIUM OXIDE SPUTTERING TARGET
A sputtering target comprising a magnesium oxide sintered compact, the sputtering target being characterized in that the ratio of crystal grains of the magnesium oxide sintered compact in which the number of pinholes in a single crystal grain is 20 or greater is 50% or less. The present invention addresses the problem of providing a sputtering target comprising a magnesium oxide sintered compact, wherein there is minimal generation of particles during sputtering.
L'invention concerne une cible de pulvérisation comprenant un comprimé fritté d'oxyde de magnésium, la cible de pulvérisation étant caractérisée en ce que le rapport des grains cristallins du comprimé fritté d'oxyde de magnésium, dans lequel le nombre de trous d'épingle dans un grain monocristallin est supérieur ou égal à 20, est inférieur ou égal à 50 %. La présente invention vise à fournir une cible de pulvérisation comprenant un comprimé fritté d'oxyde de magnésium, dans lequel il y a une génération minimale de particules pendant la pulvérisation.
酸化マグネシウム焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、前記酸化マグネシウム焼結体の一つの結晶粒内にピンホールの数が２０個以上存在する結晶粒の割合が５０％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。本発明は、酸化マグネシウム焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、スパッタリング時にパーティクルの発生が少ないスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
MAGNESIUM OXIDE SPUTTERING TARGET
CIBLE DE PULVÉRISATION D'OXYDE DE MAGNÉSIUM
酸化マグネシウムスパッタリングターゲット
KAJITA HIROKI (author) / SHIBUYA YOSHITAKA (author) / NARITA SATOYASU (author)
2020-04-16
Patent
Electronic Resource
Japanese
MAGNESIUM OXIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MAKING SAME
| European Patent Office | 2018
MAGNESIUM OXIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MAKING SAME
| European Patent Office | 2020