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SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
Provided are a sputtering target in which the occurrence of particles can be reduced, and which has improved uniformity, and a method for manufacturing the sputtering target. The present invention provides a sputtering target characterized by including 10 mol% to 85 mol% Co, 0 mol% to 47 mol% Pt, and 0 mol% to 47 mol% Cr as metal components, and by including at least B6O as an oxide component.
L'invention concerne une cible de pulvérisation dans laquelle l'apparition de particules peut être réduite, et qui présente une uniformité améliorée, et un procédé de fabrication de la cible de pulvérisation. La présente invention concerne une cible de pulvérisation caractérisée en ce qu'elle comprend de 10 % en moles à 85 % en moles de Co, de 0 % en moles à 47 % en moles de Pt, et 0 % en moles à 47 % en moles de Cr en tant que composants métalliques, et en incluant au moins B6O en tant que composant oxyde.
パーティクルの発生を低減でき、より均質なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。金属成分としてＣｏを１０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下、Ｐｔを０ｍｏｌ％以上４７ｍｏｌ％以下、Ｃｒを０ｍｏｌ％以上４７ｍｏｌ％以下含み、酸化物成分として少なくともＢ6Ｏを含むことを特徴とするスパッタリングターゲットである。
SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
Provided are a sputtering target in which the occurrence of particles can be reduced, and which has improved uniformity, and a method for manufacturing the sputtering target. The present invention provides a sputtering target characterized by including 10 mol% to 85 mol% Co, 0 mol% to 47 mol% Pt, and 0 mol% to 47 mol% Cr as metal components, and by including at least B6O as an oxide component.
L'invention concerne une cible de pulvérisation dans laquelle l'apparition de particules peut être réduite, et qui présente une uniformité améliorée, et un procédé de fabrication de la cible de pulvérisation. La présente invention concerne une cible de pulvérisation caractérisée en ce qu'elle comprend de 10 % en moles à 85 % en moles de Co, de 0 % en moles à 47 % en moles de Pt, et 0 % en moles à 47 % en moles de Cr en tant que composants métalliques, et en incluant au moins B6O en tant que composant oxyde.
パーティクルの発生を低減でき、より均質なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。金属成分としてＣｏを１０ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下、Ｐｔを０ｍｏｌ％以上４７ｍｏｌ％以下、Ｃｒを０ｍｏｌ％以上４７ｍｏｌ％以下含み、酸化物成分として少なくともＢ6Ｏを含むことを特徴とするスパッタリングターゲットである。
SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIBLE DE PULVÉRISATION
スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
FURUYA YUKI (author)
2020-10-08
Patent
Electronic Resource
Japanese
SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET MANUFACTURING METHOD
| European Patent Office | 2020
SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET MANUFACTURING METHOD
| European Patent Office | 2020
SPUTTERING TARGET AND SPUTTERING TARGET MANUFACTURING METHOD
| European Patent Office | 2020
SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2020
SPUTTERING TARGET, AND MANUFACTURING METHOD OF SPUTTERING TARGET
| European Patent Office | 2019