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COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, INSULATED CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATED CIRCUIT BOARD
This copper/ceramic assembly (10) is obtained by bonding a copper member (12) comprising copper or a copper alloy to a ceramic member (11) comprising an oxygen-containing ceramic. A magnesium oxide layer (41) is formed on the ceramic member (11) side between the copper member (12) and the ceramic member (11). Active metal oxide phases comprising an oxide of one or more active metals selected from among Ti, Zr, Nb and Hf are dispersed inside a copper layer (45) adjacent to the magnesium oxide layer (41).
Selon la présente invention, un ensemble cuivre/céramique (10) est obtenu par liaison d'un élément en cuivre (12) comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre à un élément en céramique (11) comprenant une céramique contenant de l'oxygène. Une couche d'oxyde de magnésium (41) est formée sur l'élément en céramique (11) entre l'élément en cuivre (12) et l'élément en céramique (11). Des phases d'oxyde métallique actif comprenant un oxyde d'un ou plusieurs métaux actifs choisis parmi Ti, Zr, Nb et Hf sont dispersées à l'intérieur d'une couche de cuivre (45) adjacente à la couche d'oxyde de magnésium (41).
銅又は銅合金からなる銅部材（１２）と、酸素含有セラミックスからなるセラミックス部材（１１）とが接合されてなる銅／セラミックス接合体（１０）であって、銅部材（１２）とセラミックス部材（１１）との間においては、セラミックス部材（１１）側に酸化マグネシウム層（４１）が形成されており、酸化マグネシウム層（４１）と接する銅層（４５）の内部に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の酸化物からなる活性金属酸化物相が分散している。
COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, INSULATED CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATED CIRCUIT BOARD
This copper/ceramic assembly (10) is obtained by bonding a copper member (12) comprising copper or a copper alloy to a ceramic member (11) comprising an oxygen-containing ceramic. A magnesium oxide layer (41) is formed on the ceramic member (11) side between the copper member (12) and the ceramic member (11). Active metal oxide phases comprising an oxide of one or more active metals selected from among Ti, Zr, Nb and Hf are dispersed inside a copper layer (45) adjacent to the magnesium oxide layer (41).
Selon la présente invention, un ensemble cuivre/céramique (10) est obtenu par liaison d'un élément en cuivre (12) comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre à un élément en céramique (11) comprenant une céramique contenant de l'oxygène. Une couche d'oxyde de magnésium (41) est formée sur l'élément en céramique (11) entre l'élément en cuivre (12) et l'élément en céramique (11). Des phases d'oxyde métallique actif comprenant un oxyde d'un ou plusieurs métaux actifs choisis parmi Ti, Zr, Nb et Hf sont dispersées à l'intérieur d'une couche de cuivre (45) adjacente à la couche d'oxyde de magnésium (41).
銅又は銅合金からなる銅部材（１２）と、酸素含有セラミックスからなるセラミックス部材（１１）とが接合されてなる銅／セラミックス接合体（１０）であって、銅部材（１２）とセラミックス部材（１１）との間においては、セラミックス部材（１１）側に酸化マグネシウム層（４１）が形成されており、酸化マグネシウム層（４１）と接する銅層（４５）の内部に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の酸化物からなる活性金属酸化物相が分散している。
COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, INSULATED CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATED CIRCUIT BOARD
ENSEMBLE CUIVRE/CÉRAMIQUE, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ENSEMBLE CUIVRE/CÉRAMIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE
銅／セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅／セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法
TERASAKI NOBUYUKI (author)
2021-02-25
Patent
Electronic Resource
Japanese
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