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COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, INSULATED CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATED CIRCUIT BOARD
Provided is a copper/ceramic assembly in which a copper member (12) comprising copper or a copper alloy is bonded to a ceramic member (11) comprising a nitrogen-containing ceramic. A Mg solid solution layer in which Mg forms a solution in a Cu matrix phase is formed at a bonding interface between the copper member (12) and the ceramic member (11). An active metal nitride layer (41) containing nitrides of one or more active metals selected from among Ti, Zr, Nb and Hf is formed on the ceramic member (11) side of the bonding interface. The thickness of this active metal nitride layer (41) is 0.05-1.2 µm.
L'invention concerne un ensemble cuivre/céramique dans lequel un élément en cuivre (12) comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre est lié à un élément en céramique (11) comprenant une céramique contenant de l'azote. Une couche de solution solide de Mg dans laquelle du Mg forme une solution dans une phase de matrice de Cu est formée au niveau d'une interface de liaison entre l'élément en cuivre (12) et l'élément en céramique (11). Une couche de nitrure métallique active (41) contenant des nitrures d'un ou plusieurs métaux actifs choisis parmi le Ti, le Zr, le Nb et l'Hf est formée du côté de l'élément en céramique (11) de l'interface de liaison. L'épaisseur de cette couche de nitrure de métal actif (41) est comprise entre 0,05 et 1,2 µm.
銅又は銅合金からなる銅部材（１２）と、窒素含有セラミックスからなるセラミックス部材（１１）とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、銅部材（１２）とセラミックス部材（１１）との接合界面においては、Ｃｕの母相中にＭｇが固溶したＭｇ固溶層が形成されるとともに、セラミックス部材（１１）側に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の窒化物を含む活性金属窒化物層（４１）が形成されており、この活性金属窒化物層（４１）の厚さが０．０５μｍ以上１．２μｍ以下の範囲内とされている。
COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, INSULATED CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATED CIRCUIT BOARD
Provided is a copper/ceramic assembly in which a copper member (12) comprising copper or a copper alloy is bonded to a ceramic member (11) comprising a nitrogen-containing ceramic. A Mg solid solution layer in which Mg forms a solution in a Cu matrix phase is formed at a bonding interface between the copper member (12) and the ceramic member (11). An active metal nitride layer (41) containing nitrides of one or more active metals selected from among Ti, Zr, Nb and Hf is formed on the ceramic member (11) side of the bonding interface. The thickness of this active metal nitride layer (41) is 0.05-1.2 µm.
L'invention concerne un ensemble cuivre/céramique dans lequel un élément en cuivre (12) comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre est lié à un élément en céramique (11) comprenant une céramique contenant de l'azote. Une couche de solution solide de Mg dans laquelle du Mg forme une solution dans une phase de matrice de Cu est formée au niveau d'une interface de liaison entre l'élément en cuivre (12) et l'élément en céramique (11). Une couche de nitrure métallique active (41) contenant des nitrures d'un ou plusieurs métaux actifs choisis parmi le Ti, le Zr, le Nb et l'Hf est formée du côté de l'élément en céramique (11) de l'interface de liaison. L'épaisseur de cette couche de nitrure de métal actif (41) est comprise entre 0,05 et 1,2 µm.
銅又は銅合金からなる銅部材（１２）と、窒素含有セラミックスからなるセラミックス部材（１１）とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、銅部材（１２）とセラミックス部材（１１）との接合界面においては、Ｃｕの母相中にＭｇが固溶したＭｇ固溶層が形成されるとともに、セラミックス部材（１１）側に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆから選択される１種又は２種以上の活性金属の窒化物を含む活性金属窒化物層（４１）が形成されており、この活性金属窒化物層（４１）の厚さが０．０５μｍ以上１．２μｍ以下の範囲内とされている。
COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, INSULATED CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATED CIRCUIT BOARD
ENSEMBLE CUIVRE/CÉRAMIQUE, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ENSEMBLE CUIVRE/CÉRAMIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE
銅／セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅／セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法
TERASAKI NOBUYUKI (author)
2021-05-06
Patent
Electronic Resource
Japanese
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