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COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, INSULATED CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATED CIRCUIT BOARD
Provided is a copper/ceramic assembly obtained by joining a copper member comprising copper or a copper alloy and a ceramic member comprising silicon nitride, wherein: the maximum length of an Mg-N compound phase that is present at a joining interface between the copper member and the ceramic member is less than 100 nm; and, in the unit length along the joining interface, the number density of the Mg-N compound phase having a length in the range of 10 nm to less than 100 nm is less than 8 /µm.
L'invention concerne un ensemble cuivre/céramique obtenu par union d'un élément en cuivre comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre et un élément en céramique comprenant du nitrure de silicium. La longueur maximale d'une phase de composé Mg-N qui est présente au niveau d'une interface d'union entre l'élément en cuivre et l'élément en céramique est inférieure à 100 nm ; et, dans la longueur unitaire le long de l'interface d'union, la densité en nombre de la phase de composé Mg-N ayant une longueur dans la plage de 10 nm à moins de 100 nm est inférieure à 8/µm.
この銅／セラミックス接合体は、銅又は銅合金からなる銅部材と、窒化ケイ素からなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面に存在するＭｇ－Ｎ化合物相の最大長さが１００ｎｍ未満とされ、前記接合界面に沿った単位長さにおいて、長さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満の範囲内の前記Ｍｇ－Ｎ化合物相の個数密度が８個／μｍ未満とされている。
COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, INSULATED CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATED CIRCUIT BOARD
Provided is a copper/ceramic assembly obtained by joining a copper member comprising copper or a copper alloy and a ceramic member comprising silicon nitride, wherein: the maximum length of an Mg-N compound phase that is present at a joining interface between the copper member and the ceramic member is less than 100 nm; and, in the unit length along the joining interface, the number density of the Mg-N compound phase having a length in the range of 10 nm to less than 100 nm is less than 8 /µm.
L'invention concerne un ensemble cuivre/céramique obtenu par union d'un élément en cuivre comprenant du cuivre ou un alliage de cuivre et un élément en céramique comprenant du nitrure de silicium. La longueur maximale d'une phase de composé Mg-N qui est présente au niveau d'une interface d'union entre l'élément en cuivre et l'élément en céramique est inférieure à 100 nm ; et, dans la longueur unitaire le long de l'interface d'union, la densité en nombre de la phase de composé Mg-N ayant une longueur dans la plage de 10 nm à moins de 100 nm est inférieure à 8/µm.
この銅／セラミックス接合体は、銅又は銅合金からなる銅部材と、窒化ケイ素からなるセラミックス部材とが接合されてなる銅／セラミックス接合体であって、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面に存在するＭｇ－Ｎ化合物相の最大長さが１００ｎｍ未満とされ、前記接合界面に沿った単位長さにおいて、長さが１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満の範囲内の前記Ｍｇ－Ｎ化合物相の個数密度が８個／μｍ未満とされている。
COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, INSULATED CIRCUIT BOARD, METHOD FOR PRODUCING COPPER/CERAMIC ASSEMBLY, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATED CIRCUIT BOARD
ENSEMBLE CUIVRE/CÉRAMIQUE, CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ENSEMBLE CUIVRE/CÉRAMIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ ISOLÉE
銅／セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅／セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法
TERASAKI NOBUYUKI (author)
2021-06-10
Patent
Electronic Resource
Japanese
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