Comparison of ICl- and IBr-based plasma chemistries for inductively coupled plasma etching of GaN, InN and AlN: Fid-Bau Portal

Comparison of ICl- and IBr-based plasma chemistries for inductively coupled plasma etching of GaN, InN and AlN

Hahn, Y.B. / Hays, D.C. / Cho, H. / Jung, K.B. / Abernathy, C.R. / Donovan, S.M. / Pearton, S.J. / Han, J. / Shul, R.J.

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Titel:

Comparison of ICl- and IBr-based plasma chemistries for inductively coupled plasma etching of GaN, InN and AlN

Beteiligte:

Hahn, Y.B. (Autor:in) / Hays, D.C. (Autor:in) / Cho, H. (Autor:in) / Jung, K.B. (Autor:in) / Abernathy, C.R. (Autor:in) / Donovan, S.M. (Autor:in) / Pearton, S.J. (Autor:in) / Han, J. (Autor:in) / Shul, R.J. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 60 ; 95 - 100

Erscheinungsdatum:

01.01.1999

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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