Virtual substrates for the n- and p-type Si-MODFET grown at very high rates: Fid-Bau Portal

Virtual substrates for the n- and p-type Si-MODFET grown at very high rates

Rosenblad, C. / Kummer, M. / Dommann, A. / Muller, E. / Gusso, M. / Tapfer, L. / von Kanel, H.

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Titel:

Virtual substrates for the n- and p-type Si-MODFET grown at very high rates

Beteiligte:

Rosenblad, C. (Autor:in) / Kummer, M. (Autor:in) / Dommann, A. (Autor:in) / Muller, E. (Autor:in) / Gusso, M. (Autor:in) / Tapfer, L. (Autor:in) / von Kanel, H. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B ; 74 ; 113 - 117

Erscheinungsdatum:

01.01.2000

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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