Defect analysis of n-type silicon strained layers: Fid-Bau Portal

Defect analysis of n-type silicon strained layers

Simoen, E. / Loo, R. / Roussel, P. / Caymax, M. / Bender, H. / Claeys, C. / Herzog, H. J. / Blondeel, A. / Clauws, P.

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Titel:

Defect analysis of n-type silicon strained layers

Beteiligte:

Simoen, E. (Autor:in) / Loo, R. (Autor:in) / Roussel, P. (Autor:in) / Caymax, M. (Autor:in) / Bender, H. (Autor:in) / Claeys, C. (Autor:in) / Herzog, H. J. (Autor:in) / Blondeel, A. (Autor:in) / Clauws, P. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING ; 4 ; 225-227

Erscheinungsdatum:

01.01.2001

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

1369-8001

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.38152

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