A 70-GHz-fT double-polysilicon SiGe HBT using a non selective epitaxial growth: Fid-Bau Portal

A 70-GHz-fT double-polysilicon SiGe HBT using a non selective epitaxial growth

Baudry, H. / Fellous, C. / Martinet, B. / Romagna, F. / Marty, M. / Mourier, J. / Troillard, G. / Laurens, M. / Monroy, A. / Dutartre, D.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

A 70-GHz-fT double-polysilicon SiGe HBT using a non selective epitaxial growth

Baudry, H. / Fellous, C. / Martinet, B. / Romagna, F. / Marty, M. / Mourier, J. / Troillard, G. / Laurens, M. / Monroy, A. / Dutartre, D.

A 70-GHz-fT double-polysilicon SiGe HBT using a non selective epitaxial growth

Baudry, H. / Fellous, C. / Martinet, B. / Romagna, F. / Marty, M. / Mourier, J. / Troillard, G. / Laurens, M. / Monroy, A. / Dutartre, D.

Zugriff

Zugriff über TIB

Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

Bestellung bei Subito €

Seitennavigation

Dokumentinformationen

Ähnliche Titel

Exportieren, teilen und zitieren

Dokumentinformationen

Titel:

A 70-GHz-fT double-polysilicon SiGe HBT using a non selective epitaxial growth

Beteiligte:

Baudry, H. (Autor:in) / Fellous, C. (Autor:in) / Martinet, B. (Autor:in) / Romagna, F. (Autor:in) / Marty, M. (Autor:in) / Mourier, J. (Autor:in) / Troillard, G. (Autor:in) / Laurens, M. (Autor:in) / Monroy, A. (Autor:in) / Dutartre, D. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 89 ; 21 - 25

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0921-5107

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

Ning, X. J. / Gao, D. / Bonfanti, P. et al. | British Library Online Contents | 2006

Selective epitaxial growth of strained SiGe/Si for optoelectronic devices

Vescan, L. / Stoica, T. / Goryll, M. et al. | British Library Online Contents | 1998

Selective epitaxial growth of SiGe alloys - influence of growth parameters on film properties

Vescan, L. | British Library Online Contents | 1994

Fabrication of 50 nm high performance strained-SiGe pMOSFETs with selective epitaxial growth

Loo, R. / Collaert, N. / Verheyen, P. et al. | British Library Online Contents | 2004

Epitaxial growth of SiGe layers for BiCMOS applications

Regolini, J. L. / Pejnefors, J. / Baffert, T. et al. | British Library Online Contents | 1998

Nach oben