Influence of the Wet Re-Oxidation Procedure on Inversion Mobility of 4H-SiC MOSFETs: Fid-Bau Portal

Influence of the Wet Re-Oxidation Procedure on Inversion Mobility of 4H-SiC MOSFETs

Kosugi, R. / Okamoto, M. / Suzuki, S. / Senzaki, J. / Harada, S. / Fukuda, K. / Arai, K.

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Titel:

Influence of the Wet Re-Oxidation Procedure on Inversion Mobility of 4H-SiC MOSFETs

Beteiligte:

Kosugi, R. (Autor:in) / Okamoto, M. (Autor:in) / Suzuki, S. (Autor:in) / Senzaki, J. (Autor:in) / Harada, S. (Autor:in) / Fukuda, K. (Autor:in) / Arai, K. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 389/393 ; 1049-1052

Erscheinungsdatum:

01.01.2002

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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