Thermal oxidation of strained Si/SiGe: impact of surface morphology and effect on MOS devices: Fid-Bau Portal

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Thermal oxidation of strained Si/SiGe: impact of surface morphology and effect on MOS devices

Olsen, S. H. / O'Neill, A. G. / Norris, D. J. / Cullis, A. G. / Bull, S. J. / Chattopadhyay, S. / Kwa, K. S. / Driscoll, L. S. / Waite, A. M. / Tang, Y. T.

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Olsen, S. H. / O'Neill, A. G. / Norris, D. J. / Cullis, A. G. / Bull, S. J. / Chattopadhyay, S. / Kwa, K. S. / Driscoll, L. S. / Waite, A. M. / Tang, Y. T.

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Titel:

Thermal oxidation of strained Si/SiGe: impact of surface morphology and effect on MOS devices

Beteiligte:

Olsen, S. H. (Autor:in) / O'Neill, A. G. (Autor:in) / Norris, D. J. (Autor:in) / Cullis, A. G. (Autor:in) / Bull, S. J. (Autor:in) / Chattopadhyay, S. (Autor:in) / Kwa, K. S. (Autor:in) / Driscoll, L. S. (Autor:in) / Waite, A. M. (Autor:in) / Tang, Y. T. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B -LAUSANNE- ; 109 ; 78-84

Erscheinungsdatum:

01.01.2004

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Print

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

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