4H-SiC Epitaxial Growth on Carbon-Face Substrates with Reduced Surface Roughness: Fid-Bau Portal

4H-SiC Epitaxial Growth on Carbon-Face Substrates with Reduced Surface Roughness

Aigo, T. / Sawamura, M. / Fujimoto, T. / Katsuno, M. / Yashiro, H. / Tsuge, H. / Nakabayashi, M. / Hoshino, T. / Ohtani, N.

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Titel:

4H-SiC Epitaxial Growth on Carbon-Face Substrates with Reduced Surface Roughness

Beteiligte:

Aigo, T. (Autor:in) / Sawamura, M. (Autor:in) / Fujimoto, T. (Autor:in) / Katsuno, M. (Autor:in) / Yashiro, H. (Autor:in) / Tsuge, H. (Autor:in) / Nakabayashi, M. (Autor:in) / Hoshino, T. (Autor:in) / Ohtani, N. (Autor:in) / Devaty, R. P.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials - 2005 ; 153-158

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 527/529

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

6 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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