Effect of Rapid Thermal Processing on Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Subjected to Simulating CMOS Thermal Processing: Fid-Bau Portal

Effect of Rapid Thermal Processing on Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Subjected to Simulating CMOS Thermal Processing

Ma, Q. / Yang, D.-r. / Ma, X.-y. / Cui, C.

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Titel:

Effect of Rapid Thermal Processing on Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Subjected to Simulating CMOS Thermal Processing

Beteiligte:

Ma, Q. (Autor:in) / Yang, D.-r. (Autor:in) / Ma, X.-y. (Autor:in) / Cui, C. (Autor:in)

Erschienen in:

MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -HANGZHOU- ; 24 ; 691-693

Erscheinungsdatum:

01.01.2006

Format / Umfang:

3 pages

ISSN:

1004-793X

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Unbekannt

Klassifikation:

DDC: 620.11

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