Structural and dielectric properties of Ti and Er co-doped HfO2 gate dielectrics grown by RF sputtering: Fid-Bau Portal

Structural and dielectric properties of Ti and Er co-doped HfO2 gate dielectrics grown by RF sputtering

Khaskheli, M. A. / Wu, P. / Chand, R. / Li, X. / Wang, H. / Zhang, S. / Chen, S. / Pei, Y.

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Titel:

Structural and dielectric properties of Ti and Er co-doped HfO2 gate dielectrics grown by RF sputtering

Beteiligte:

Khaskheli, M. A. (Autor:in) / Wu, P. (Autor:in) / Chand, R. (Autor:in) / Li, X. (Autor:in) / Wang, H. (Autor:in) / Zhang, S. (Autor:in) / Chen, S. (Autor:in) / Pei, Y. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 266 ; 355-359

Erscheinungsdatum:

01.01.2013

Format / Umfang:

5 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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