Deep Defects in 3C-SiC Generated by H^+- and He^+-Implantation or by Irradiation with High-Energy Electrons: Fid-Bau Portal

Deep Defects in 3C-SiC Generated by H^+- and He^+-Implantation or by Irradiation with High-Energy Electrons

Weidner, M. / Trapaidze, L. / Pensl, G. / Reshanov, S.A. / Schoner, A. / Itoh, H. / Ohshima, T. / Kimoto, T.

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Titel:

Deep Defects in 3C-SiC Generated by H^+- and He^+-Implantation or by Irradiation with High-Energy Electrons

Beteiligte:

Weidner, M. (Autor:in) / Trapaidze, L. (Autor:in) / Pensl, G. (Autor:in) / Reshanov, S.A. (Autor:in) / Schoner, A. (Autor:in) / Itoh, H. (Autor:in) / Ohshima, T. (Autor:in) / Kimoto, T. (Autor:in) / Bauer, A.J. / Friedrichs, P.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2009 ; 439-442

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 645/648

Erscheinungsdatum:

01.01.2010

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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