Atomic layer deposition and characterization of stoichiometric erbium oxide thin dielectrics on Si(100) using (CpMe)3Er precursor and ozone: Fid-Bau Portal

Atomic layer deposition and characterization of stoichiometric erbium oxide thin dielectrics on Si(100) using (CpMe)3Er precursor and ozone

Xu, R. / Tao, Q. / Yang, Y. / Takoudis, C. G.

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Titel:

Atomic layer deposition and characterization of stoichiometric erbium oxide thin dielectrics on Si(100) using (CpMe)3Er precursor and ozone

Beteiligte:

Xu, R. (Autor:in) / Tao, Q. (Autor:in) / Yang, Y. (Autor:in) / Takoudis, C. G. (Autor:in)

Erschienen in:

APPLIED SURFACE SCIENCE ; 258 ; 8514-8520

Erscheinungsdatum:

01.01.2012

Format / Umfang:

7 pages

ISSN:

0169-4332

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 621.35

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