4H-SiC Epitaxial Layer Grown on 150 mm Automatic Horizontal Hot Wall Reactor PE106: Fid-Bau Portal

4H-SiC Epitaxial Layer Grown on 150 mm Automatic Horizontal Hot Wall Reactor PE106

Mauceri, M. / Pecora, A. / Litrico, G. / Vecchio, C. / Puglisi, M. / Crippa, D. / Piluso, N. / Camarda, M. / La Via, F.

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Titel:

4H-SiC Epitaxial Layer Grown on 150 mm Automatic Horizontal Hot Wall Reactor PE106

Beteiligte:

Mauceri, M. (Autor:in) / Pecora, A. (Autor:in) / Litrico, G. (Autor:in) / Vecchio, C. (Autor:in) / Puglisi, M. (Autor:in) / Crippa, D. (Autor:in) / Piluso, N. (Autor:in) / Camarda, M. (Autor:in) / La Via, F. (Autor:in) / Okumura, H.

Erschienen in:

Silicon Carbide and Related Materials 2013 PART 1 Selected, peer reviewed papers from the 15^t^h International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, (ICSCRM 2013), September 29 - October 4, 2013, Miyazaki, Japan ; 121-124

MATERIALS SCIENCE FORUM ; 778/780

Erscheinungsdatum:

01.01.2014

Format / Umfang:

4 pages

ISSN:

0255-5476

Medientyp:

Aufsatz (Zeitschrift)

Format:

Sprache:

Englisch

Klassifikation:

DDC: 620.11

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